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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:吳東嶸封裝即基礎建設：當 AI 把運算瓶頸推回真空、散熱與精密製程現場—設備業接住的，從來不只是一顆晶片

AI 對半導體最深的改變，並不只是讓 HBM 與先進封裝變貴，而是把記憶體、連接、供電與散熱，重新推到基礎建設的位置。過去它們常被視為晶片之後的配套；今天，它們決定一座 AI 算力工廠能跑多快、能耗多低、供應能不能穩。本文從設備與製程現場出發，回看 HBM4/HBM4E/HBM5 的頻寬競賽、堆疊內熱阻、混合鍵合、層間填充與翹曲、玻璃基板、共同封裝光學、垂直供電與液冷。這些題目看似分散，落到工程現場卻指向同一組能力：真空、電漿、薄膜、精密機械、熱機耦合與可靠度驗證。我認為，當物理定律逐漸接手摩爾定律，設備業真正要深耕的，不只是某一台機台，而是把「連接」與「散熱」做成可量產、可驗證、可複製的系統能力。

作者:呂建興智慧檢測賦能異質整合：AI驅動的半導體先進製程缺陷檢測技術發展

隨著半導體技術邁向奈米級結構與三維（Three-Dimensional, 3D）先進封裝及異質整合，傳統缺陷檢測和量測方法面臨極限挑戰。本報告分析全球半導體市場趨勢與製程設備競爭格局，探討3D 先進封裝對高解析度檢測的需求，並聚焦於AI 驅動的非破壞性檢測技術創新。建議未來發展方向應朝向高解析度、多模態整合與AI 自動化，以實現檢測角色從「找問題」轉變為「預測、優化、決策」的智慧化核心，進而提升半導體元件的可靠性並縮短製造週期。

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:呂建興先進封裝之非破壞量檢測技術發展與應用趨勢

AI 隨著晶片封裝架構邁向三維堆疊與異質整合，傳統破壞式分析方法已難以滿足先進製程對良率
與可靠度的高標準。非破壞檢測（Nondestructive Testing, NDT）技術能在不損害晶片結構的前提下，識別層間剝離、氣孔、微裂縫及材料老化等潛在缺陷，並在製程控制中發揮關鍵作用。本文綜述封裝領域中紅外、多波長與AI 輔助之疊層量測與非破壞檢測技術發展，並結合市場資料分析其應用趨勢與臺灣產業機會。結果顯示，多模態融合與AI 驅動的自適應量測將成為封裝可靠度驗證的核心技術方向。