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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:陳冠州、黃智勇、林士欽、謝明翰、劉耀先低壓電漿顯影的流場可視化技術

在各磊晶製程中，流場均勻性是決定薄膜品質良好與否的重要影響因子。本研究之反應氣體（氬氣）及載流氣體（空氣）在預混系統中先行預混，再透過進氣口，輸入至低壓腔體中，並配合平行放置於真空腔體中雙電極，透過電引入接通外部高壓電源，使反應氣體解離，於腔體內生成週期性疏密電漿，並透過高速攝影機拍攝，量測位於腔體內的二維流場及速度場。本研究腔體抽氣及進氣後的壓力維持在 10-1（torr）至10-2（torr）區間的低壓狀態，而關於電漿生成裝置中主要操作參數為:交流高壓電源供給電壓 200 V 至 4000 V、反應氣體進氣流量10~ 50 sccm、改變進氣流量與腔體壓力等操作參數，觀察其流場的變化。

作者:王慶鈞、黃智勇、陳建志、簡榮楨、陳志勇、曾力瑋、王京璽、劉耀先MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究

本研究分析並探討MOCVD反應腔體內的流場分佈，試驗不同的基板轉速和流量變化對速度場分佈之影響，結果顯示旋轉效應會影響氣體的速度及均勻度，此研究結果將可提供MOCVD製程提升磊晶效果之參考。

作者:劉耀先、彭冠中、黃智勇CVD腔體高溫流場影響研究
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