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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:劉錦龍、李昌周、柯志諭軟性電子貼合技術探討

近幾年來軟性電子（Flexible Electronics）毫無疑問地是這一波新興產業中的明星，依據2005年IEEE會議的定義：『軟性電子是一種技術的通稱，是一種建置在薄塑膠片或金屬薄片之軟性或可彎曲基板上的元件與材料的技術』。軟性電子技術的應用非常地廣泛，軟性印刷電路板（FPC，Flexible Printed Circuit）、可撓曲軟性顯示器（Flexible Display）、電子紙（E-paper）、薄膜太陽電池（Thin Film Solar Cell）和無線射頻辨識（RFID，Radio Frequency Identification）等，都是軟性電子技術的應用範圍。貼合製程是軟性電子普遍應用的關鍵技術，本文將針對貼合技術要點與原理應用進行探討。

作者:黃智勇、王慶鈞、陳建志、林龔樑、簡榮楨、陳思豪、王怡珊、陳志勇、林士欽、蔡陳德、趙主立金屬有機化學氣相沉積製程與設備技術

本文主要探討MOCVD反應腔中wafer加金屬緩衝層對於承載盤溫度分佈及翹曲情形，使用接觸熱阻的觀念設計金屬緩衝層，針對不同厚度金屬層進行模擬分析。

作者:王浩偉、張奕威、Abraham Mario Tapilouw、張樂融晶圓厚度及翹曲檢測技術發展

隨著半導體尺寸微縮趨勢，晶圓厚度越來越薄，對表面的要求也越來越高。晶圓翹曲或厚度變化過大，將導致晶圓破裂和後續製程的偏差，非接觸精確量測和反饋總厚度變異thickness（TTV, Total Thickness Variation）、翹曲（Warp）、彎曲（Bow）資料，對製程良率至關重要。但不同的晶圓厚度範圍、晶圓表面粗度、線上檢測等要求，將對量測方法有所限制，本文將比較各量測方法的適用性，並就共焦方法的量測原理、架構、量測比對，及未來需求發展作進一步介紹。

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙半導體材料，是克服矽在高壓/高功率器件中局限性的具吸引力候選材料，已廣泛的被應用在儲能、風電、太陽能、電動車等對高功率、高壓具高度要求的產業。然而，眾所周知，碳化矽因其超硬、脆性和熱化學穩定性的固有特性而難以進行高效和平滑的加工。再者，因應SiC晶圓尺寸的放大，具有高材料移除效率的輪磨製程逐漸成為加工的主流之一。然而，由於塑性變形和斷裂等「應力誘導」現象，研磨過程不可避免地會在晶圓表面下方引入損傷層。本文嘗試以自行發展的大氣電漿乾式蝕刻設備，去除輪磨加工應力導致的翹曲。實驗初步結果顯示大氣電漿設備可快速且有效的將晶圓翹曲量由單面輪磨(採用8000號砂輪)後的110-150 µm，降回10-20 µm（輪磨前的晶圓翹曲量）。