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作者:林昭憲、李文浚電漿鍍膜技術及電漿表面處理實驗室簡介

作者:王慶鈞、黃智勇、陳建志、簡榮楨、陳志勇、曾力瑋、王京璽、劉耀先MOCVD反應室內基板旋轉對流場之影響研究

本研究分析並探討MOCVD反應腔體內的流場分佈，試驗不同的基板轉速和流量變化對速度場分佈之影響，結果顯示旋轉效應會影響氣體的速度及均勻度，此研究結果將可提供MOCVD製程提升磊晶效果之參考。

作者:黃智勇、王慶鈞、陳建志、林龔樑、簡榮楨、陳思豪、王怡珊、陳志勇、林士欽、蔡陳德、趙主立金屬有機化學氣相沉積製程與設備技術

本文主要探討MOCVD反應腔中wafer加金屬緩衝層對於承載盤溫度分佈及翹曲情形，使用接觸熱阻的觀念設計金屬緩衝層，針對不同厚度金屬層進行模擬分析。

作者:黃智勇、王慶鈞、陳建志、林龔樑、簡榮楨、蔡陳德、曾力瑋、賴冠甫、劉耀先MOCVD之反應室模組研究

本文主要探討MOCVD反應腔中基板加溫變化下的腔體流場分布情形，針對不同基板加熱溫度以及單孔進氣流量，利用粒子影像測速儀進行流場可視化實驗，觀察基板於不同加溫狀態下，影響產生於基板上的渦流情形。

作者:利定東、胡智愷、林義鈞、邱顯智、楊宇華、簡紹安、陳自榮、王慶鈞MOCVD之加熱盤模組技術

MOCVD腔體內加熱器為一關鍵零組件，本文以熱模擬方式針對此一零組件做改變內部電阻管形狀排列及盤面材料進行最佳化設計，並以未來能應用於加熱大尺寸八吋Si基底為標的。由模擬分析，當由內到外前兩圈加熱管間距為18 mm，中間兩圈加熱管間距為17 mm，最後兩圈加熱管間距分別為18 mm與14 mm得到最佳圖形。驗證電熱管的分佈情況影響加熱器的均溫性甚劇，由中心到外緣隨著距離增加溫度降低，藉由管路間隙分佈可改善外圈溫度分佈。經由間距改變後，再進行材料分析模擬，當加熱盤材質為SiC時有最佳的均溫效果，可得盤面各處溫度差±5度，達到藍光製程所需溫度（1000~1200度）。

作者:胡智愷、林義鈞、利定東、黃智勇、林龔樑、陳建志、王慶鈞MOCVD加熱模組技術

加熱器為MOCVD設備中的關鍵零組件，本研究以大尺寸（十吋）加熱載盤為研究對象，為了使加熱載盤表面溫度分佈均勻，特以數值分析模擬之方式最佳化設計加熱器內部電熱管圖形陣列。本文首先將專利及自行設計的電熱管圖形以接觸式的型態進行熱模擬分析，接著依照模擬結果優化改良其電熱管形狀，而後將優化的電熱管再分別進行接觸式和熱輻射式之熱分析，並進行此二型式的比較，實驗中會探討加熱後載盤溫度分佈及升溫時間狀況，最後本文研究結果顯示MOCVD熱輻射式加熱器將比接觸式加熱器要優良許多。

作者:黃萌祺、高端環3D金屬線路製作技術

由於智慧型手機、超薄筆記型電腦等3C產品日益輕薄短小，故必須縮減內部元件之體積與增加空間彈性應用，3D金屬線路其最大優點是易適用於不規則之塑膠基材上，形成立體電路，充份利用到產品表面所有空間。目前雷射直接成型法（Laser Direct Structuring, LDS）為立體線路主要製作方法，其利用雷射進行圖案化，進而將活化粒子露出塑膠表面，再以無電鍍進行金屬線路沉積，雖然具有設計彈性大、節省空間等特性，LDS製作方法受限於特定材料限制，且只能進行單層金屬線路製作，故本研究將發展雷射誘導金屬化技術（Laser Induced Metallization, LIM），能於曲面上進行多層金屬微結構製作，且不受基材材料之限制，更擴大3D立體金屬線路之應用範圍。

作者:黃萌祺、高端環三維金屬線路製造技術

三維金屬線路（3 Dimensional Molded Interconnect Device; 3D MID）最大優點是易適用於不規則之塑膠基材上，形成 3D立體電路，充份利用了產品表面所有空間，不易受限於超薄空間之限制，可使線路更微型多樣化，而能廣泛應用於手機天線、超薄筆記型電腦、車用電子等產品上。本研究發展雷射誘導金屬化技術（Laser Induced Metallization, LIM），藉由獨創之奈米觸發膠體，輔以3D噴塗製程，將能於3D基板上完成積層式金屬圖案化製程，且不受產品基材與體積之限制，最小線寬為30μm。故LIM製程能藉由積層式製造大幅縮小天線需求面積，LIM技術已通過2G、3G、4G手機天線驗證，輻射效率達60%以上，優於業界需求。

作者:黃萌祺、高端環、林冠廷、張心豪高頻陶瓷元件雷射金屬化技術

隨著多樣性產品與元件對於輕薄短小之體積要求逐漸增加，微波介質陶瓷元件因具有體積小、元件密度高等優勢，而需求量大幅增加。本論文開發陶瓷雷射金屬化技術製作微波介質陶瓷元件應用於38GHz高頻天線與GPS （global positioning system）天線，以取代傳統銀漿網印技術與金屬漿料高溫燒結技術，其為低溫快速製程，且可利用雷射光精準控制金屬線路之位置與線寬，故最小線寬可達30 μm以下，且位置精度可控制於±50 μm以下，符合B4G或5G高頻模組之發展需求，且因低溫製程而具有高節能效益。

作者:林義鈞、黃智勇、陳冠州、王慶鈞磊晶製程參數優化系統技術

工研院研發的磊晶製程參數優化系統（epitaxy optimum coupling system, EOCS）是屬原創性極高之製造數位化技術，不同於傳統人為操作參數的決策。本系統是將製程參數實驗資料及模擬分析之優化結果導入巨量資料庫，可以快速（2小時）找出最佳化的參數，比以往需1週調控的時間大幅縮減，相較其他的競爭者，使用磊晶製程參數優化系統預期可增加產能，而且能獲得準確度92%以上的鍍膜速率與均勻性預測。且具有新產品快速彈性研發優勢，主要是可縮短了產品上市時間（time to market），並減少研發成本，更有利於開發下世代大尺寸GaN/Si光電和深紫外光LED新元件，同時可望填補全球LED前段磊晶設備產業關鍵模組的供應鏈缺口。

作者:王信陽掌握工業4.0在智慧製造的商機—智慧設備將扮演關鍵角色

發展智慧製造與工業4.0已經成為台灣產業翻轉的重要關鍵，而半導體和顯示器產業也是目前台灣最接近智慧製造與工業4.0的兩大關鍵產業，半導體和顯示器產業在發展智慧製造的過程中，將扮演帶動相關產業發展的火車頭。希望藉由兩大產業的發展實例，給予其他產業更多的支援，協助其他產業轉型、升級。智慧製造的關鍵在生產數據可視化，利用大數據分析進行生產決策，其中智慧設備就是發展智慧製造的重要關鍵。

工業4.0不僅僅是自動化而已，而是應該經由智慧設備扮演生產製造的核心，是產業邁向智慧製造的關鍵。但是在邁向4.0之前，由於產業的落差太大，許多產業才正要從1.0或2.0向上提升，而半導體、顯示器等高科技產業，也正從3.x邁步向前，這是台灣產業再造與升級的機會，也是全世界的機會。近年來世界製造大國紛紛推出各自的產業發展策略，期望透過創新策略與智慧製造技術，提升本國製造產業的價值與競爭力。

作者:王偉彥、張佑祥、黃萌祺高附著性玻璃金屬化之濕式製程技術

玻璃基材是一具有潛力能夠取代矽應用於中介層的材料，因其具備低介電常數與可調式熱膨脹係數，另外製作成本相較於矽低廉且無尺寸上的限制，然而玻璃基材與銅層存在附著性不佳之問題，導致玻璃基材遲遲未被廣泛應用於中介層上。為解決此一難題，本文開發一高附著性玻璃金屬化之濕式製程技術，藉由獨創合成塗料於玻璃上塗佈一附著層並結合濕式金屬化技術，最終玻璃與銅層附著力達到約452 gf/cm，近乎於商用附著力標準值，此外，本技術也可應用於高深寬比的通孔玻璃中，並且達到均勻且連續的金屬鍍膜。

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