機械工業網 - 機械產業的入口網站

:::

歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:葉錦清2017高科技設備產業回顧與展望

2017年由於快閃記憶體（NAND flash）與動態隨機記憶體（dynamic random access memory, DRAM）缺貨，帶動半導體營收提昇。而半導體設備則是受到半導體成長的影響，估計2017全球半導體設備產值將達696億美元，相較於2016年成長29.2%。這波成長趨勢將持續到2018年，但成長趨勢會趨緩，估計2018年半導體設備產值將成長4.4%。

在2016年下半年開始，韓國廠商傾全力資源投入主動矩陣有機發光二極體（active matrix organic light emitting diode, AMOLED）顯示器生產研發，中國大陸廠商亦大規模投注資金。蘋果公司智慧型手機之規劃導入採用主動矩陣有機發光二極體，也帶動相關製造設備的成長。UBI Research原本估計2017~2021年之間，有機發光二極製造設備市場預估為439億美元，因為廠商的大舉投入，而將預測調高為849億美元。

作者:李昇亮電漿輔助原子層鍍膜設備電控系統介紹

本文以本所研發PEALD設備之電控系統當範例作說明，內容包含有周邊元件選用、電控系統軟體及硬體規劃等，最後將會介紹本系統所規劃之人機介面及操作方法。

作者:嚴國藝、邱建華、李俊緯、林沛鋅、王慶鈞、黃振榮、梁沐旺、吳慶輝、羅展興、龔志榮氧化鋅透明導電膜之原子層沉積製程與設備技術

本論文探討原子層沉積法製備銦、鎵摻雜之氧化鋅薄應用在氮化銦鎵發光二極體透明導電層對元件特性之影響。退火後之摻雜鎵之氧化鋅薄膜在發光波段450奈米之穿透率約為95.8 %，其電阻率約為4.6×10-4 Ω-cm。而覆蓋退火後之鎵摻雜氧化鋅薄膜之氮化銦鎵發光二極體，在順向電流20 mA下，其導通電壓約為3.5 V，而發光效率增加27.5 %。退火後之銦摻雜氧化鋅薄膜電阻率約為6×10-4 Ω-cm。而以銦摻雜氧化鋅薄膜為透明導電層之發光二極體元件，退火後，在順向電流20 mA下測量其電壓為3.26 V，發光效率增加12.5%。

作者:陳邦旭、王慶鈞原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用

近年來，在新型非揮發性記憶體的研究中，電阻式記憶體被視為極具潛力的候選元件。電阻式記憶體的架構為ㄧ電極/絕緣層/電極所組成。電極與絕緣層材料之選用與製備方式為此ㄧ記憶體成功的關鍵。其中，適當材料性質的絕緣層提供ㄧ個良好的電阻變換的區域。而原子層沉積技術，為製作奈米薄膜重要技術之ㄧ，因此也廣泛的應用在製作電阻式記憶體的製程中。在本文中，將介紹目前電阻式記憶體的發展，其電阻式記憶體操作模式與機制，目前使用原子層沉積法來製備適合絕緣薄膜的材料系統，以原子層沉積技術應用於三維電阻式記憶體絕緣層，與未來應用原子層沉積技術製作電阻式記憶體元件的展望，做深入的介紹。

作者:賴識翔、王慶鈞、莊賦祥撓性OLED製作技術

耗電性、可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年可達30億美元之產值。目前在撓性OLED元件製程上，最關鍵之製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程上，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術可應用於高阻水氣之奈米級封裝薄膜，其水氣穿透率為1.37×10-6 g/ m2day。可撓性OLED照明元件之功率效率達32 lm/W，基板撓曲曲率半徑可達2 cm，撓曲次數可達1000次以上。

作者:賴識翔、林龔樑、林義鈞、董福慶先進OLED薄膜封裝技術

OLED照明元件為一平面式面光源，並具有低耗電性及可撓性，且可隨設計需求而調整的演色性與色溫等特性，預估2020年全球可達30億美元之產值。可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率（WVTR）之封裝奈米薄膜製程，工研院機械所提出創新概念之原子層沉積技術製作高阻水氣的奈米級封裝薄膜，其製程溫度小於100℃，薄膜厚度亦小於100 nm，水氣穿透率為1.37×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。