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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:魏拯華、李隆盛電動車用馬達驅控功率模組技術之關鍵零組件開發

在高效能車用電動馬達系統中，高效能的高功率電晶體與高功率二極體是該系統的核心元件以及能量損耗所在之處。因此本文章針對高效能功率元件作為切入點，對於矽基與寬能隙半導體（氮化鎵、碳化矽）材料所做元件之性能優勢、缺陷作分析。最後挑選出較為適用於電動車的功率電子元件技術。

作者:彭明燦、吳至強、成維華車用氮化鎵功率模組之技術進展

氮化鎵功率模組為次世代功率模組，其高速切換、高效率和體積小的特性，能進一步提升電動車驅動系統的性能而增加續航力，及縮小馬達控制器和散熱系統的體積重量。其中矽上氮化鎵（GaN-on-Si）元件更可利用量産成熟之低成本、尺寸大的矽晶圓來製作氮化鎵功率元件而迴避純粹氮化鎵晶圓所有較昂貴的問題，矽上氮化鎵（GaN-on-Si）元件為目前研究的主流也是相關車廠投入新功率模組的研究焦點。近年氮化鎵高頻元件已發展應用有成，但如何將氮化鎵元件的功率進一步推入車用等級及提高可靠度則有待研究團隊持續努力，能否將可用規格落實為成功應用於電動車驅動的關鍵。

作者:林義鈞、黃智勇、林士欽、陳冠州、李昌駿、劉彥禹超晶格多層薄膜應力模擬分析技術

高電子遷移率電晶體因為其具有電流穩定性以及承受高崩潰電壓的能力，在高頻、高功率的應用上有極大的潛力，但結構缺陷及磊晶薄膜應力太大，容易造成特性劣化。本文是以超晶格多層薄膜堆疊調控之技術手段，達成降低頂層氮化鎵薄膜應力之功效，以解決磊晶結構缺陷及元件特性劣化之問題。在超晶格多層薄膜應力模擬分析實驗架構分成三部份，第一部份比較不同製程溫度，第二部份比較不同超晶格結構層數，第三部份比較不同超晶格結構厚度，從以上模擬分析結果得到，隨著超晶格結構層數增加，頂層氮化鎵薄膜應力會有下降的趨勢。

作者:呂建興全球化合物半導體設備市場及產業發展趨勢

半導體設備領域的製程技術相當複雜，長期以來由美國、日本和歐洲的廠商所壟斷。尤其在COVID-19、俄烏戰爭與全球通膨的影響之下，近年在各關鍵領域皆有國內外企業及廠商尋求突破，也因此逐漸地填補設備自主開發的缺口。以晶體生長和加工設備為例，其產品使用技術涵蓋材料科學、熱力學、自動控制、機械加工與設計和半導體物理等多種專業領域，需要應用熱流分析、智慧製造、精密傳動等多項技術。