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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:黃昆平、賴致瑋、張志振、邱博文電子迴旋共振化學氣相沈積法成長石墨烯及其後處理

石墨烯（Graphene）在低溫實驗中，載子遷移率可達到200000 cm2/V‧s，是現今矽材料的千倍以上，具穩定的化性、機械強度、低電阻等特色，不管用在內部連接（interconnect）、電晶體（transistor）、液晶顯示器透明電極等，非常適合半導體技術及應用。目前以真空方式ECR CVD成長出來的石墨烯是屬於損傷石墨烯（damaged graphene），缺陷甚多必須佐以表面熱處理來改善品質。目前有測試高溫退火、氬離子電漿及微波退火方式進行石墨烯之改質。其中以（a）微波退火以及（b）氬離子電漿加退火可明顯地降低石墨烯的片電阻值。

作者:施宏欣、黃昆平、古皓宇、胡啟章無陽極鋰金屬之石墨烯鋰電池技術研究

本文以多源電子迴旋共振化學氣相沉積(Multi-source Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition (MECR-CVD)直接成長奈米石墨烯壁(Graphene nanowalls, GNW)來修飾銅箔，此GNW具有5~10層且為垂直生長石墨烯結構於銅箔表面。在溫度~450℃、短時間6分鐘和微波能量1100 W即可沉積生成GNW。由於GNW的pi電子軌域會增加電極界面的潤濕性和增強均勻鋰離子流通量，可使鋰形成平滑電鍍鋰(Plated-Li)的樣貌，不會產生鋰枝晶(Li Dendrite)結構。以GNW銅箔作為陽極側之電流收集器(Current Collector)所組成的銅鋰半電池測試下，除了可形成穩定的SEI (Solid Electrolyte Interface)外，還可以提高電池壽命約34%。