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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:賴識翔、林義鈞高阻水氣薄膜封裝技術於OLED照明之應用

預估撓性OLED市場規模到2020年可達176億美元，針對可撓性有機發光二極體（organic light-emitting diode,OLED）元件最關鍵之技術在於低水氣穿透率（water vapor transmission rate, WVTR）的封裝奈米薄膜製程上。工研院機械所提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100C，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:王信陽半導體設備深耕臺灣邁向國際之路

半導體是臺灣的護國神山產業，先進封裝是臺灣半導體設備最重要機遇，臺灣半導體設備應該要把握此難得際遇邁向國際。透過擴大國際供應鏈合作鏈結新創，吸引國際優秀人才，展開全球布局。單打獨鬥時代已經過去，半導體產業強調的是專業，市場很大但多屬寡占，一顆專業的半導體螺絲也能創佳績，拓展國際市場四種合作模式已經開始進行。

作者:張筠苡CPO 賦能矽光子，開創高速傳輸新紀元

作者:呂建興半導體先進封裝製程設備的機會與挑戰

根據研調機構最新預測，半導體設備市場正在經歷一個調整期，但未來仍具有巨大的成長潛力。特別值得注意的是，Yole預估全球先進封裝市場規模將由2022年的443億美元，成長為2028年的786億美元。先進封裝的技術趨勢，包括縮小互連間距和使用先進的通孔技術，正在改變整個產業格局。此外，由於中美貿易衝突和供應鏈的不穩定性，多元化和在地化成為新的關鍵詞。本文將涵蓋上述重要議題的研究與討論，包括技術發展趨勢、供應鏈整合、環境和耗能問題，以及在地化的機會與挑戰。透過對這些議題的深入分析，為相關產業提供相關趨勢發展的看法和具體建議。

作者:沈軒任、林昆蔚、林東穎化合物半導體之產業應用趨勢

在高階應用領域，產業正從傳統矽基材料主導的局面加速邁向以化合物半導體為高效能核心的新局。本文梳理代表性材料的物理特性與擅長應用，並著重碳化矽（SiC）的應用擴張側寫，AI 世代的先進封裝對大面積、低翹曲與高散熱的需求，開啟 SiC 導入散熱基板/ 中介層應用的新契機；為降低切割損失與提升良率，低損耗的雷射改質分片製程技術成為受關注的重要選項。本文最後將歸納化合物半導體產業面臨的三項關鍵挑戰：成本結構、可靠度與供應鏈韌性議題，並展望在AI 與綠能趨勢下的應用成長與產業布局機會。

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:張佑祥、陳玠錡、李偉宇、鍾蔿、王偉彥應用於先進半導體封裝的薄型化TGV天線製造技術

本文結合工研院機械所與資通所的技術，合作設計開發出了一種新穎的製程整合技術，並用於低損耗的28 GHz毫米波相控陣列玻璃天線的研製。本文選用具有TGV結構的薄型化玻璃基板，使其有潛力被應用在2.5D / 3D半導體異質整合製造技術中。結果證實我們成功研製出操作頻寬涵蓋27.8 GHz到28.9 GHz頻段約1.1 GHz (2:1 VSWR 定義)的5G毫米波天線陣列，其天線效率和峰值天線增益分別高於70%和10 dBi。我們成功產生具有指向性以及扇形覆蓋的3D遠場輻射場型，其在y-z平面上的3-dB輻射波束寬度約為80度，在x-z平面上約為30度。因此，本文開發之技術具有極高的可行性並可應用於薄型化5G毫米波相位陣列天線的研製。

作者:王亘黼、董福慶、賴識翔原子層沉積多成分薄膜填孔與封裝應用

新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展，亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜，以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使用物理氣相沉積法沉積薄膜，遭遇高深寬比(10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而，綜觀薄膜沉積技術，唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫(< 100°C)原子層鍍膜設備，同時導入多模態離散注入前驅物質技術，提升鍍率以及孔隙深入能力，有效達到多成分薄膜填孔均勻性之產業應用規格。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:鍾承恩、周府隆、胡平浩、黃建融先進封裝邁向玻璃通孔時代

在高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）以及第五代行動通訊（5G）等應用迅速崛起的驅動下，晶片對於高速訊號傳輸與高效率散熱的需求日益嚴苛，進而推動先進封裝技術持續演進。面板級扇出型封裝（Fan-Out Panel Level Packaging, , FOPLP）因具備高密度、低成本與大面積製程優勢，成為下一代主流封裝技術之一。其中，結合玻璃通孔（Through Glass Via,, TGV）基板，則為FOPLP 在訊號完整性、熱穩定性與微型化方面帶來突破性進展。本篇文章將探討FOPLP 結合TGV技術的整合挑戰、製程優勢與市場潛力。

作者:張雯琪下世代半導體設備的先進技術探索與趨勢

2024年全球半導體設備市場預計將達到1,090億美元，根據國際半導體產業協會(SEMI)的報告，市場增長主要受到AI產業，帶動先進製造、2.5D／3D先進封裝技術、矽光子相關設備發展。隨著智慧製造的強化和國際供應鏈的連結，未來幾年內，半導體設備市場的增長潛力將持續擴大。我國政府將半導體作為國家五大信賴產業之一，力推半導體設備國產化，預計到2028年，實現產值倍增，這將進一步同時也促進在地零組件供應鏈的發展。展望未來，隨著下世代晶片技術不斷演進和市場需求的提升，全球半導體設備市場正朝著更高的里程碑邁進。

作者:蘇濬賢、蘇志杰、王裕銘先進封裝設備之晶圓對位技術

從台積電推出InFO（Integrated Fan Out）的先進封裝技術開始，半導體技術論壇，以及關相關專業研討會都脫離不了先進封裝扇出型封裝（Fan Out Package）這項議題。雖然工研院機械所目前已開發晶圓級熱壓接合設備，然此設備開發時，即定調以製程驗證無需對位功能的著眼點進行研究開發，因此，如欲以此設備進行先進封裝，製程則需整合對位技術於此設備之中。藉由本次檢索先進封裝技術之對位技術，並綜合專利地圖分析及設備專利資料，本技術論文除提供讀者對該製程技術的技術掌握度之外，藉由專利分析，更可進一步強化相關技術開發能量。