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作者:賴識翔、林義鈞高阻水氣薄膜封裝技術於OLED照明之應用

預估撓性OLED市場規模到2020年可達176億美元，針對可撓性有機發光二極體（organic light-emitting diode,OLED）元件最關鍵之技術在於低水氣穿透率（water vapor transmission rate, WVTR）的封裝奈米薄膜製程上。工研院機械所提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100C，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/day/m2，並已成功應用於OLED元件上。

作者:吳東嶸封裝即基礎建設：當AI把運算瓶頸推回真空、散熱與精密製程現場—設備業接住的，從來不只是一顆晶片

AI 對半導體最深的改變，並不只是讓 HBM 與先進封裝變貴，而是把記憶體、連接、供電與散熱，重新推到基礎建設的位置。過去它們常被視為晶片之後的配套；今天，它們決定一座 AI 算力工廠能跑多快、能耗多低、供應能不能穩。本文從設備與製程現場出發，回看 HBM4/HBM4E/HBM5 的頻寬競賽、堆疊內熱阻、混合鍵合、層間填充與翹曲、玻璃基板、共同封裝光學、垂直供電與液冷。這些題目看似分散，落到工程現場卻指向同一組能力：真空、電漿、薄膜、精密機械、熱機耦合與可靠度驗證。我認為，當物理定律逐漸接手摩爾定律，設備業真正要深耕的，不只是某一台機台，而是把「連接」與「散熱」做成可量產、可驗證、可複製的系統能力。

作者:王信陽半導體設備深耕臺灣邁向國際之路

半導體是臺灣的護國神山產業，先進封裝是臺灣半導體設備最重要機遇，臺灣半導體設備應該要把握此難得際遇邁向國際。透過擴大國際供應鏈合作鏈結新創，吸引國際優秀人才，展開全球布局。單打獨鬥時代已經過去，半導體產業強調的是專業，市場很大但多屬寡占，一顆專業的半導體螺絲也能創佳績，拓展國際市場四種合作模式已經開始進行。

作者:張筠苡CPO 賦能矽光子，開創高速傳輸新紀元

作者:江柏風半導體設備在先進製程與先進封裝世代下之發展趨勢分析

半導體設備產業正由「產能擴張」轉向「製程共創」。SEMI（Semiconductor Equipment and
Materials International，國際半導體產業協會）指出，300mm晶圓廠設備支出預估於2027 年達1,510 億美元；Yole（Yole Group，維勒班市調公司）預估先進封裝市場將成長至2030 年的794 億美元。先進製程與先進封裝正共同重塑設備需求，包括：原子級製程控制、高數值孔徑極紫外光、先進封裝、玻璃基板與玻璃穿孔，以及面板級封裝等五大技術變化。國際設備大廠已透過曝光、沉積、蝕刻、量測與鍵合等平台建立競爭優勢。對臺灣而言，短期應切入關鍵模組與製程支援系統；中期聚焦先進封裝量測、玻璃穿孔與面板級封裝設備；長期則建立設備、製程、量測與資料整合能力，以提升設備附加價值並強化製程共同開發能力。

作者:呂建興半導體先進封裝製程設備的機會與挑戰

作者:沈軒任、林昆蔚、林東穎化合物半導體之產業應用趨勢

在高階應用領域，產業正從傳統矽基材料主導的局面加速邁向以化合物半導體為高效能核心的新局。本文梳理代表性材料的物理特性與擅長應用，並著重碳化矽（SiC）的應用擴張側寫，AI 世代的先進封裝對大面積、低翹曲與高散熱的需求，開啟 SiC 導入散熱基板/ 中介層應用的新契機；為降低切割損失與提升良率，低損耗的雷射改質分片製程技術成為受關注的重要選項。本文最後將歸納化合物半導體產業面臨的三項關鍵挑戰：成本結構、可靠度與供應鏈韌性議題，並展望在AI 與綠能趨勢下的應用成長與產業布局機會。

作者:許劭聿、凡恩森、呂曼寧、楊舒閔、高端環、陳玠錡、黃萌祺、張佑祥先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、TGV為例

隨著摩爾定律逐漸放緩，異質整合已成為提升系統效能與功能密度的關鍵技術。先進封裝技術不僅是晶片尺寸縮小的延伸，更是異質系統整合的核心支撐。本文探討了二種具代表性的先進封裝技術：穿矽通孔 (Through Silicon Via ,TSV)以及玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV)，分析其技術原理、優缺點與應用場景，並比較其在成本、效能與可擴展性上的異同。此外，文章特別針對玻璃穿孔 (Through Glass Via ,TGV) 製程挑戰進行深入分析，並介紹工研院開發之創新濕式製程，有效解決物理氣相沉積 (Physical vapor deposition，PVD) 於高深寬比孔洞中附著與填充不良問題，為未來異質整合封裝提供具備實用性與可量產潛力的解決方案。

作者:張佑祥、陳玠錡、李偉宇、鍾蔿、王偉彥應用於先進半導體封裝的薄型化TGV天線製造技術

本文結合工研院機械所與資通所的技術，合作設計開發出了一種新穎的製程整合技術，並用於低損耗的28 GHz毫米波相控陣列玻璃天線的研製。本文選用具有TGV結構的薄型化玻璃基板，使其有潛力被應用在2.5D / 3D半導體異質整合製造技術中。結果證實我們成功研製出操作頻寬涵蓋27.8 GHz到28.9 GHz頻段約1.1 GHz (2:1 VSWR 定義)的5G毫米波天線陣列，其天線效率和峰值天線增益分別高於70%和10 dBi。我們成功產生具有指向性以及扇形覆蓋的3D遠場輻射場型，其在y-z平面上的3-dB輻射波束寬度約為80度，在x-z平面上約為30度。因此，本文開發之技術具有極高的可行性並可應用於薄型化5G毫米波相位陣列天線的研製。

作者:王亘黼、董福慶、賴識翔原子層沉積多成分薄膜填孔與封裝應用

新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展，亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜，以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使用物理氣相沉積法沉積薄膜，遭遇高深寬比(10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而，綜觀薄膜沉積技術，唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫(< 100°C)原子層鍍膜設備，同時導入多模態離散注入前驅物質技術，提升鍍率以及孔隙深入能力，有效達到多成分薄膜填孔均勻性之產業應用規格。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:鍾承恩、周府隆、胡平浩、黃建融先進封裝邁向玻璃通孔時代

在高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）以及第五代行動通訊（5G）等應用迅速崛起的驅動下，晶片對於高速訊號傳輸與高效率散熱的需求日益嚴苛，進而推動先進封裝技術持續演進。面板級扇出型封裝（Fan-Out Panel Level Packaging, , FOPLP）因具備高密度、低成本與大面積製程優勢，成為下一代主流封裝技術之一。其中，結合玻璃通孔（Through Glass Via,, TGV）基板，則為FOPLP 在訊號完整性、熱穩定性與微型化方面帶來突破性進展。本篇文章將探討FOPLP 結合TGV技術的整合挑戰、製程優勢與市場潛力。

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