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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:蘇濬賢、蘇志杰、王裕銘先進封裝設備之晶圓對位技術

從台積電推出InFO（Integrated Fan Out）的先進封裝技術開始，半導體技術論壇，以及關相關專業研討會都脫離不了先進封裝扇出型封裝（Fan Out Package）這項議題。雖然工研院機械所目前已開發晶圓級熱壓接合設備，然此設備開發時，即定調以製程驗證無需對位功能的著眼點進行研究開發，因此，如欲以此設備進行先進封裝，製程則需整合對位技術於此設備之中。藉由本次檢索先進封裝技術之對位技術，並綜合專利地圖分析及設備專利資料，本技術論文除提供讀者對該製程技術的技術掌握度之外，藉由專利分析，更可進一步強化相關技術開發能量。

作者:葉錦清2017高科技設備產業回顧與展望

2017年由於快閃記憶體（NAND flash）與動態隨機記憶體（dynamic random access memory, DRAM）缺貨，帶動半導體營收提昇。而半導體設備則是受到半導體成長的影響，估計2017全球半導體設備產值將達696億美元，相較於2016年成長29.2%。這波成長趨勢將持續到2018年，但成長趨勢會趨緩，估計2018年半導體設備產值將成長4.4%。

在2016年下半年開始，韓國廠商傾全力資源投入主動矩陣有機發光二極體（active matrix organic light emitting diode, AMOLED）顯示器生產研發，中國大陸廠商亦大規模投注資金。蘋果公司智慧型手機之規劃導入採用主動矩陣有機發光二極體，也帶動相關製造設備的成長。UBI Research原本估計2017~2021年之間，有機發光二極製造設備市場預估為439億美元，因為廠商的大舉投入，而將預測調高為849億美元。

作者:王浩偉、張奕威、Abraham Mario Tapilouw、張樂融晶圓厚度及翹曲檢測技術發展

隨著半導體尺寸微縮趨勢，晶圓厚度越來越薄，對表面的要求也越來越高。晶圓翹曲或厚度變化過大，將導致晶圓破裂和後續製程的偏差，非接觸精確量測和反饋總厚度變異thickness（TTV, Total Thickness Variation）、翹曲（Warp）、彎曲（Bow）資料，對製程良率至關重要。但不同的晶圓厚度範圍、晶圓表面粗度、線上檢測等要求，將對量測方法有所限制，本文將比較各量測方法的適用性，並就共焦方法的量測原理、架構、量測比對，及未來需求發展作進一步介紹。

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙半導體材料，是克服矽在高壓/高功率器件中局限性的具吸引力候選材料，已廣泛的被應用在儲能、風電、太陽能、電動車等對高功率、高壓具高度要求的產業。然而，眾所周知，碳化矽因其超硬、脆性和熱化學穩定性的固有特性而難以進行高效和平滑的加工。再者，因應SiC晶圓尺寸的放大，具有高材料移除效率的輪磨製程逐漸成為加工的主流之一。然而，由於塑性變形和斷裂等「應力誘導」現象，研磨過程不可避免地會在晶圓表面下方引入損傷層。本文嘗試以自行發展的大氣電漿乾式蝕刻設備，去除輪磨加工應力導致的翹曲。實驗初步結果顯示大氣電漿設備可快速且有效的將晶圓翹曲量由單面輪磨(採用8000號砂輪)後的110-150 µm，降回10-20 µm（輪磨前的晶圓翹曲量）。

作者:沈家志、林冠宇、張家豪、劉志宏電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用

電漿蝕刻製程在半導體晶片製造中為相當成熟的前段製程技術，已廣泛被應用於微機電（MEMS）微加工與立體（3D）封裝中的穿孔蝕刻等流程，而近年來因應後段半導體製程之晶圓切割技術需求提升，電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用開始被關注並投入大量的開發資源。本文將會討論電漿切割於晶圓切割產業的關鍵議題與挑戰，並介紹目前電漿蝕刻設備相關進展與驗證結果。

作者:謝宏麟、張耀中、李朱育、曹庭豪基於閃頻疊紋法之晶圓翹曲量測技術

現階段半導體技術已邁入2 nm製程，晶圓品質管控愈加關鍵，其中表面形貌（如翹曲量）更為直接影響產品良率之重要指標。本文提出一套創新的閃頻疊紋式晶圓翹曲量測技術。此套系統由LED光源、線性光柵、透鏡組及CCD相機組成，透過疊紋法將光柵影像投射至晶圓表面後再反射回CCD相機，經與數位參考光柵交疊產生疊紋影像。當晶圓翹曲時，疊紋相位隨之變化，而後透過閃頻技術的使用，即可精準量測高速旋轉狀態下，待測晶圓於各徑向點之相位，進而換算出其相對應之翹曲值與表面輪廓。經實驗驗證，此系統之角度解析度可達0.21 μrad。