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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:余能助、沈添沐應用於太陽能電池設備之真空泵

作者:葉羿辰、梁沐旺太陽能電池電漿鍍膜設備關鍵模組技術簡介

作者:郭明村矽薄膜型太陽電池模組量產技術現況

作者:蔣啟明、羅萬中、林昭憲、楊景富、許恭銘常壓電漿設備技術

作者:張凱傑、謝志男、楊濟華、李國義磁控濺鍍電漿製程之表面處理設備

作者:卓廷彬、馬寧元、葉庭魁、華振宇超硬奈米複合鍍膜發展趨勢與現況

作者:林昭憲、李文浚電漿鍍膜技術及電漿表面處理實驗室簡介

作者:馬寧元、李新中鋼鐵材料的表面改質技術

作者:林博鏞大氣電漿在玻璃表面清潔製程之應用

作者:林東穎、柯明賢、陳輝達、張均豪大面積電感式耦合電漿源與專利分析

作者:林昆蔚、陳俊廷雷射輔助低溫成長微晶矽基薄膜技術

增強式電漿化學氣相沉積（PECVD）常用於工業界薄膜成長製程，以反應氣體矽甲烷（SiH4）成長之非晶矽薄膜具有高吸收係數，特別適合做為太陽能電池材料，但非晶矽薄膜在長時間照光下，薄膜品質易產生光劣化現象（Staebler-wronski Effect），乃因薄膜中SiH2比例過高所致，因此國內已有研究單位針對矽薄膜成長品質來做改善。基於提高解離矽甲烷（SiH4）之速率，提出二氧化碳雷射輔助解離化學氣相沉積技術（Laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system, LAPECVD），利用矽甲烷對二氧化碳雷射波長10.6μm具有高吸收效率，在低溫成長環境下經由雷射輔助促使矽甲烷解離成矽氫鍵（Si-H）進而成長具高緻密性及低缺陷品質的微晶矽薄膜，以拉曼光譜作分析，其峰值訊號往520cm-1方向做偏移，顯示隨著雷射功率增加，薄膜型態逐漸由非晶形態轉換到結晶形態，且其微結構參數（microstructure parameter）也隨雷射功率增加而下降，表示雷射輔助有助於形成緻密性較佳的薄膜，將雷射輔助低溫成長微晶矽基薄膜製程應用於成長矽薄膜太陽能電池，所成長元件之光電轉換效率由原來無雷射輔助之6.04%有效提升至有雷射輔助之7.01%。

作者:李昇亮電漿輔助原子層鍍膜設備電控系統介紹

本文以本所研發PEALD設備之電控系統當範例作說明，內容包含有周邊元件選用、電控系統軟體及硬體規劃等，最後將會介紹本系統所規劃之人機介面及操作方法。