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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:王亘黼、董福慶、賴識翔原子層沉積多成分薄膜填孔與封裝應用

新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展，亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜，以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使用物理氣相沉積法沉積薄膜，遭遇高深寬比(10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而，綜觀薄膜沉積技術，唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫(< 100°C)原子層鍍膜設備，同時導入多模態離散注入前驅物質技術，提升鍍率以及孔隙深入能力，有效達到多成分薄膜填孔均勻性之產業應用規格。

作者:張佑祥、梁烝輔、王偉彥、陳玠錡、黃萌祺高深寬比玻璃通孔金屬化與填孔電鍍技術

近年來，三維電子封裝與異質整合技術已經被廣泛的討論與發展。高深寬比玻璃通孔（TGV）的基板是作為中介層的選項之一。因為玻璃基板具有以下優點：低介電係數、超高電阻率、高尺寸安定性、與銅的熱膨脹差異小以及良好的機械性質。然而，透過全濕式製程來完成玻璃金屬化與無缺陷高深寬比TGV填孔技術是難以實現的。本研究，利用簡單的全濕式製程技術，開發出玻璃金屬化技術和無缺陷高深寬比TGV填孔技術。此外，此TGV填孔技術是在直流電（DC）的模式下，通過使用單一添加劑電鍍配方系統在電鍍液完全靜止（無流場）的狀態下完成的全新填孔電鍍製程。

作者:張雯琪下世代半導體設備的先進技術探索與趨勢

2024年全球半導體設備市場預計將達到1,090億美元，根據國際半導體產業協會(SEMI)的報告，市場增長主要受到AI產業，帶動先進製造、2.5D／3D先進封裝技術、矽光子相關設備發展。隨著智慧製造的強化和國際供應鏈的連結，未來幾年內，半導體設備市場的增長潛力將持續擴大。我國政府將半導體作為國家五大信賴產業之一，力推半導體設備國產化，預計到2028年，實現產值倍增，這將進一步同時也促進在地零組件供應鏈的發展。展望未來，隨著下世代晶片技術不斷演進和市場需求的提升，全球半導體設備市場正朝著更高的里程碑邁進。

作者:蘇濬賢、蘇志杰、王裕銘先進封裝設備之晶圓對位技術

從台積電推出InFO（Integrated Fan Out）的先進封裝技術開始，半導體技術論壇，以及關相關專業研討會都脫離不了先進封裝扇出型封裝（Fan Out Package）這項議題。雖然工研院機械所目前已開發晶圓級熱壓接合設備，然此設備開發時，即定調以製程驗證無需對位功能的著眼點進行研究開發，因此，如欲以此設備進行先進封裝，製程則需整合對位技術於此設備之中。藉由本次檢索先進封裝技術之對位技術，並綜合專利地圖分析及設備專利資料，本技術論文除提供讀者對該製程技術的技術掌握度之外，藉由專利分析，更可進一步強化相關技術開發能量。

作者:卓嘉弘、顧逸霞、羅竣威、張柏毅、李正綱、李漢文、羅聖全半導體先進封裝製程量測技術
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