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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:郭啟全、吳敏詳具微特徵結構之大面積熱壓印快速模具製程開發

本研究旨在提出一個製作具有微尺寸結構之大面積熱壓印模具技術，此技術的優點包括製程簡單、低製造成本與製作時間短。本研究研製之大面積熱壓印模具尺寸為250 mm× 350 mm，運用本研究所提出之方法，如與運用傳統方法來研製大面積熱壓印模具，可以節省製造成本約為61.3%。本研究所提出之製程具有顯著工業應用價值，因為本研究所研製之大面積熱壓印模具可以搭配熱壓印製程，應用於新3C產品表面咬花紋之試作。

作者:古淳仁、林于中、曾介亭軟性基板之雷射加工應用

隨著軟性電子產品追求輕薄的趨勢下，關鍵材料的軟性基板亦朝向輕薄化、可撓性發展，同時基板上建置複雜的多層材料結構，傳統機械式的切割方式，軟板基板容易受機械應力造成形變導致加工出錯或是造成撕裂，影響面板與元件整體特性，因此，軟性基板切割成型一直是業界極力克服的問題，而雷射非接觸式的加工優勢將為未來產業的發展趨勢。本文主要針對雷射關鍵技術應用於軟性多層基板製程加工進行介紹，期望建立軟性基板雷射相關應用技術，協助台灣軟性基板相關產業進行技術昇級，並提昇相關廠商之競爭力。

作者:廖建智、陳佩吟、何筱晨、王仁傑工具機智慧化數位設計技術

作者:唐乃光、吳信廷高真空壓鑄件開發

傳統的壓鑄製程在金屬液充填模穴的過程中會捲入大量的氣體，容易在壓鑄件內形成氣孔，導致機械性質不穩定，因此不會用在需要承受負荷的結構件上。也不能銲接或熱處理，因為壓鑄件加熱後，捲入的氣體會膨脹形成氣泡。但近年來已發展出「高真空壓鑄」技術，藉由將壓鑄模穴內的空氣抽走，使壓鑄件的含氣量低於5 cc/100 g Al，不僅使壓鑄件的機械性質穩定，並且可以銲接與熱處理。本文以雪地摩托車零件為例，介紹高真空壓鑄件的開發過程。包括高真空壓鑄方案設計、澆流道設計與模流分析、壓鑄機設定與試模結果。

作者:李建霖、王亘黼、蔡坤諭、錢盛偉、蔡佳勳、董福慶、王慶鈞氦離子束檢測技術簡介及其於高深寬比結構鍍膜製程研發之應用

目前的掃描電子顯微鏡技術存在著一些性能上的限制。在奈米等級結構上，影像解析度通常受限於樣品相互作用的體積，而不是實際的聚焦點大小。使用較高能量電子束或較大質量的粒子束源雖然可以減少散射的影響，但隨之而來的副作用，如更大的樣品相互作用體積及大量分散的粒子源能量使影像解析度仍舊無法提升。近年來，氣體場離子源研究的進展使得以輕惰性氣體離子作為離子源的顯微設備得以實現，有助於奈米等級結構的檢測及相關製程研發。本文將針對氦離子束檢測技術及高深寬比結構鍍膜技術進行介紹。

作者:周敏傑、黃萌祺、高端環、黃悅真、羅慶峰、林寶洲雷射誘發金屬化3D電路製造技術與應用

隨著科技的飛速發展，電子產品的體積越來越小，但功能卻在逐漸增加，將電子電路集成到結構部件上的三維結構電子技術已成為必然趨勢。一種新開發的雷射誘發金屬化 (LIM) 技術可直接在大部份由塑料、金屬、玻璃或陶瓷製成物體的三維表面上製造電路。LIM技術是在物體表面噴塗一種特殊的雷射活化溶液，然後進行雷射結構化和化學鍍銅；也可以逐層重複步驟，形成三維多層電路。本文已將 LIM-3D 電路技術應用於影像感測器的探針卡、仿人機器人手指上的觸覺感測器、手機背蓋上的雙層2G/3G/4G微型天線和NFC 天線。未來LIM-3D電路技術與三維固晶技術結合後可以為三維結構電子的發展開闢新的機遇。

作者:黃萌祺、楊捷、鄭文欽、呂文鎔、陳玠錡3D結構電子先進製造技術

現今的電子產品發展趨於微型化，並且功能也日益增加，因此金屬線路與元件亦須朝著高密集度、3D結構且輕薄化的方向發展，故將電子電路及其零組件整合至立體結構件形成3D結構電子為重點發展趨勢，目前在智慧結構件、通訊電子、車用電子及醫療電子等領域皆擁有高度的需求。本文將介紹工研院開發之3D結構電子關鍵技術，利用智慧化3D元件接合技術與局部低溫金屬焊接技術，並配合LIM（Laser Induced Metallization）3D線路製造技術，達到高精度3D結構電子製作之目的。

作者:廖啟宏低眩光蝙蝠翼LED平板燈具設計與製造技術─使LED進入照明市場的利器

具有高光強度輸出與高均勻照度的平板燈將能夠提供一個高品質的光環境，在本研究中，我們開發了一種可以用滾對滾製程製作的低成本微結構光學膜片，此種光學膜片可使原本以Lambertian光場形發光的LED平板燈轉換成低眩光的蝙蝠翼光場形，而此平板燈的所有光學性能將以模擬結果來呈現在此篇論文中。

作者:張高德繞射式深度感測元件之基材熱效應模擬分析

本研究主要利用繞射光學編碼、熱形變模擬及深度計算模型評估在不同材料下，由溫度所引起的深度計算誤差。由於溫度的上升使得繞射元件上的微結構形變，進而造成繞射光點的位移，對應的位移量造成深度計算誤差。由模擬結果可看到熔融石英（Fused silica）在溫度為60度時，其位深度誤差0.007 mm遠低於紅外光相機的成像解析度（0.2 mm），對比壓克力（Acrylic）材料則為0.885 mm，由此可見，在針對高精度的量測需求下，熔融石英材料為基礎的繞射元件，為目前最佳的解決方案。