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依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:呂建興全球寬能隙半導體設備產業的機遇與挑戰

碳化矽(SiC)作為第三類半導體材料，在電動車、5G通訊等領域潛力巨大。目前，國際大廠主導設備市場，臺灣面臨技術與成本挑戰。本文分析全球碳化矽半導體製程設備趨勢，聚焦單晶生長、薄膜沉積、精密加工與檢測等關鍵技術。針對臺灣，建議發展自主知識產權、推動產學研合作、強化國際鏈結，以提升在全球供應鏈中的競爭力，把握產業發展機遇。

作者:呂建興全球化合物半導體設備市場及產業發展趨勢

作者:沈怡如車用半導體產業發展趨勢與供應鏈競合關係

車用半導體在智慧車輛發展中扮演著至關重要的角色，隨著電動化和智慧化趨勢的興起，車用半導體成為半導體市場中成長最為快速的應用領域；特別在自動駕駛、智慧座艙、動力系統等次系統的開發上，對於車用晶片需求持續提升，亦成為各家大廠投入資源及展開布局的重點。車輛智慧化過程中，整車電子化趨勢將持續推動車用半導體發展，而車用半導體技術也將促進整車電子化的進程，兩者相輔相成。本文將介紹車用半導體整體產業發展趨勢、市場規模及供應鏈間的競爭與合作關係。

作者:林義暐、鄭貴元、呂文鎔、丁嘉仁、張高德碳化矽裂片技術淺談與其產業應用

根據IHS（Information Handling Services）Markit的預測，全球功率半導體市場規模將以年增長率4.1%的速度成長。其中，以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽（Silicon Carbide, SiC）為例，此材料具備高頻、高功率、耐高溫且耐高壓的電器特性，預期未來會更廣泛的應用在電動車、充電樁、太陽能、離岸風電、基地台與5G等[1]。硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術進行晶錠切割，許多公司都投入資源進行相關的技術研發。本文將針對近年來各種主要切割技術進行討論與分析，提供讀者在進入晶錠切割技術領域的參考。