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歷史雜誌

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作者:翁志強、徐瑞美抗污性及自潔式鍍膜技術

抗汙、自潔鍍膜在近年來受到廣泛的探討，在2012年，此功能性鍍膜的市場產值約有20億美金。抗汙以及自潔性表面可以是超疏水或者超親水。因應未來大面積、低成本且快速鍍膜處理需求，工研院運用大氣壓電漿鍍膜技術，成功發展出超疏水鍍層以及具光觸媒效果的超親水二氧化鈦鍍層，可應用於抗汙以及自潔性應用，例如建築及建材鍍膜等。

作者:陳志明、張瀛方、偕睿仁大氣電漿技術在透明導電高分子膜圖案化之應用

根據Nanomarkets（2008）的研究報告[1]指出，到2015年氧化銦錫（Indium Tin Oxide, ITO）的使用比例將會下降至45 %，並由導電高分子（18 %）、奈米碳管（15 %）與奈米材料（9 %）等材料取代。除了銦元素蘊藏量有限及成本等因素考量外，最重要的是可撓性的產品需求趨勢使然。圖案化是任何一種材料應用於投射式電容觸控元件的必要關鍵製程，本文將針對導電高分子膜圖案化技術作介紹。

作者:楊國煇、蘇濬賢、周大鑫大氣壓電漿鍍膜與模擬分析技術簡介

大氣壓電漿技術已廣泛地應用於不同領域，尤以材料或零件的表面處理為最常見的技術之一，然而大氣壓電漿於鍍膜應用而言，還未能有效的克服如大面積鍍膜均勻度與鍍膜速率等幾項工業需求；本文主要針對介電層屏蔽放電（Dielectric barrier discharge, DBD）型式於鍍膜方面之發展進行簡介，並探討噴射式大氣電漿流場與熱場對鍍膜過程之影響。

作者:王明德製程綠能化－低溫大氣壓電漿技術創新應用

當近來紀錄片「看見台灣」掀起國內新一波保護國土熱潮，也讓民眾開始從另類視角來檢視山川河海多年來所承受的種種傷害與威脅，進而期待政府與相關民間業者，面對長久過度發展產業下，同時帶來的污染及環境威脅。在產業與經濟發展密不可分的關係下，台灣未來經濟發展對於綠色先進製程技術之需求日益殷切，需這些技術的研發成果可發生重大影響力，無疑更值得我們重視。

作者:翁志強、徐瑞美大氣壓電漿於金屬表面還原之應用

金屬雙極板具有低成本與高機械強度的特性，但是質子交換膜燃料電池的金屬雙極板因為操作在溫度較高的硫酸環境中，所以金屬板會遇到腐蝕的問題。透過雷射披覆碳膜於金屬雙極板上可提供抗腐蝕之保護。

作者:蘇濬賢、楊國煇、蔡陳德、張瀛方、翁志強大氣電漿大面積薄膜沉積技術

電漿技術發展至今已廣泛應用於各產業，特別於光電產業之製程應用為最；然而，習知的電漿技術需於真空環境下進行，對於欲處理之工件會受限於真空腔體之尺寸大小。本文乃介紹工研院機械所於大氣壓電漿（Atmospheric Pressure Plasma，APP）製程設備技術之開發及其應用，內容包括大氣壓電漿技術之特色與比較、電漿機構設計與分析模擬及針對大面積薄膜沉積於光電產業之應用。

作者:張志振低溫電漿概論

低溫電漿程序已廣範應用於半導體製程，然電漿設備自製率於台灣仍然偏低。本文乃論述各類低溫電漿原理與特性，以期國內機械與半導體產業再次升級，並收拋磚引玉之效

作者:林冠宇、張家豪、李侃峰、胡家睿電漿製程設備之電控系統技術

目前材料表面改質或清潔技術多為濕式化學或真空製程，在環保及設備成本上為其主要議題；工研院以自有常壓電漿處理模組專利及製程自動化能力，結合疏水藥劑建構保護玻璃抗污技術，主要導入市場為材料表面改質、清潔及鍍膜產業應用，其設備預期可減少1/3以上之藥劑使用，對環境更加友善。

作者:楊國煇、謝志瑋、吳宗信、邱垂青大氣電漿之模擬技術

電漿系統使用廣泛，且大量的被使用於半導體產業中，受到產業升級的影響，高效能之電漿系統所耗費的資本支出龐大，使得設備攤提時間過長，提高企業之營運壓力；近年來，模擬分析技術隨著電腦效能的提高與理論基礎逐漸完備的情況下，可透過模擬分析直接預測系統之工作能力，有效降低設備研發成本，同時提供設計者設計方向；電漿模擬分析技術為了降低計算時間，除了提高計算系統之效能外，另一方面則是透過簡化的方式將電漿系統由三維降至二維，並將系統區分為電漿產生區、整流區與再結合區，分別計算以降低計算複雜度；以氦氣為主要氣體，摻雜氧氣、氮氣與水氣為例，透過時間多重尺度演算數值方法，由計算結果與傳統電漿流體數值方法進行比較，電漿物種濃度分佈誤差小於4 %，計算速度提升至25倍以上。

作者:胡家睿、梁金興、林冠宇大氣電漿之電漿源設計介紹

隨著台灣半導體產業的蓬勃發展與其製程相關之電漿技術也成為越來越不可或缺的腳色，產業競爭的情況下整體製程會往單位面積下高密度產出以及高能源使用效率的方向來進行提升，因此越來越多研究轉向常壓下可執行之電漿加工，近年來大氣電漿的技術突破使得表面加工變得更加靈活，依據不同的加工條件、加工效果而衍生出各式不同之電漿源之設計，本文在此將對目前常見的幾種大氣電漿源做其運作機制之解析，文中也將提出一種新式旋風型電漿源之設計。

作者:丁嘉仁、翁志強、劉俊葳碳化矽晶圓複合加工技術

碳化矽雖具有優異材料物理特性，目前為繼矽晶圓材料之後，被注目看好之替代材料。但其材料堅硬（達莫氏硬度9.25~9.5）加工耗時成為產能上之瓶頸，導致成本居高不下。本研究以大氣電漿改質軟化輔助拋光之技術，結合化學機械拋光製程，整合開發創新碳化矽晶圓複合拋光技術，達到加速4吋碳化矽晶圓拋光製程之移除效率，並提升基板之表面拋光品質。

作者:劉志宏、黃駿、劉威霆常壓電漿束於矽蝕刻之應用

常壓電漿技術已廣泛使用於材料表面改質之相關應用產業，其技術包括鍍膜、蝕刻、表面粗化及活化，以賦與材料表面具有功能性（如親/疏水特性或具生物相容性等），而增加材料之附加價值。本文欲介紹工研院機械所開發之氟碳常壓電漿束，內容包括其加工技術特色、應用及與矽晶圓表面間之作用機制；此外，亦探討其電漿束於矽材蝕刻之應用可行性。