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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬多模式薄膜沉積製程設備模組技術於OLED照明之應用

可撓性OLED元件最關鍵的製程技術在於具低水氣穿透率(WVTR)之封裝薄膜，工研院機械所已獲得「多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法」之專利，在單一腔體內以原子層沉積技術與電漿輔助化學沉積技術製作高阻水氣薄膜，其薄膜特性達到OLED封裝高阻水氣之嚴苛要求( WVTR 小於 5 x 10-6 g/m2 /day)，此專利技術可應用在現今先進之OLED顯示與照明產業的薄膜封裝，大幅降低封裝成本與提高元件壽命及品質。

作者:賴識翔、董福慶、林義鈞、鄭皓蓬應用於OLED照明之薄膜沉積設備模組技術

OLED照明是一種平面的光源，亮度與色溫具可調且具高演色性，但OLED元件仍有許多需改進的地方，成本過高便是其中之一，因此OLED關鍵製程設備之開發是刻不容緩的。工研院機械所提出創新概念之面型蒸鍍源技術，成功地開發出面型蒸鍍驗證平台設備。以此新穎面型蒸鍍源設備技術成功驗證膜厚不均勻度＜± 5 %、材料利用率可達70 %及製作出高演色指數＞ 80之OLED元件等。此外，工研院機械所亦提出創新的薄膜封裝製程設備概念，以原子層沉積技術製作高阻水氣之奈米級薄膜，其製程溫度小於100℃，且薄膜厚度小於100 nm，其水氣穿透率小於5×10-6 g/m2/day，並已成功應用於OLED元件上。

作者:葉錦清2017高科技設備產業回顧與展望

2017年由於快閃記憶體（NAND flash）與動態隨機記憶體（dynamic random access memory, DRAM）缺貨，帶動半導體營收提昇。而半導體設備則是受到半導體成長的影響，估計2017全球半導體設備產值將達696億美元，相較於2016年成長29.2%。這波成長趨勢將持續到2018年，但成長趨勢會趨緩，估計2018年半導體設備產值將成長4.4%。

在2016年下半年開始，韓國廠商傾全力資源投入主動矩陣有機發光二極體（active matrix organic light emitting diode, AMOLED）顯示器生產研發，中國大陸廠商亦大規模投注資金。蘋果公司智慧型手機之規劃導入採用主動矩陣有機發光二極體，也帶動相關製造設備的成長。UBI Research原本估計2017~2021年之間，有機發光二極製造設備市場預估為439億美元，因為廠商的大舉投入，而將預測調高為849億美元。

作者:林義暐、張瀛方、張明智、陳昌毅、李品瑤、吳崇銘超細線寬製程技術於透明LED顯示屏幕之應用

LED顯示屏幕近年來的需求激增，其中透明LED顯示屏幕的需求複合年成長率更是達到8 %；目前的透明顯示技術主要分為二類，一為以ITO（Indium Tin Oxide）透明導電膜為基礎的LED玻璃屏，另一為以PCB（Printed Circuit Board）板為基礎的LED透明屏，然而二種技術分別面臨各自的技術瓶頸，ITO導電膜主要有面電阻過高（>100 Ω/cm2）的問題，對於全彩與高密度顯示的需求無法達到；而PCB板為主的LED透明屏主要受限電路板所形成的光柵式導電板於視覺上過於明顯，難以達到高透明顯示無視化的需求，整合應用受限；工研院機械所利用自行開發之超細線寬製程技術，可成功於透明基板上印製線寬~10 µm且在1 cm長度之細微導線上阻值可達1 Ω，後續透過SMT（Surface Mount Technology）與FPC（Flexible Printed Circuit）的貼合製程，可於370 x 470 mm幅寬的透明基板上點亮全彩的LED，並且可進行中、英文字體的顯示，達到低阻值、輕量化的全彩透明LED屏幕顯示。

作者:林義鈞、陳冠州、王慶鈞Micro LED高溫磊晶加熱模組技術

因為磊晶設備加熱器（鎢絲或錸片）皆會有發熱體轉折處間隙過大，造成溫度不均勻現象，或是發熱體壽命較短等問題，微間距加熱模組是採用陶瓷材料當作發熱體，具備高耐蝕性、熱傳導係數大及熱膨脹係數小等特性，高溫下沒有outgassing問題，線圈間距尺寸最小約1.5 mm而達到幾乎整面發熱的效果，大幅提升溫度均勻性。本所完成設計開發Micro LED使用的微間距加熱模組，已安裝上MOCVD機台，後續將實際上機驗證其加熱功能與磊晶製程。

作者:廖啟宏低眩光蝙蝠翼LED平板燈具設計與製造技術─使LED進入照明市場的利器

具有高光強度輸出與高均勻照度的平板燈將能夠提供一個高品質的光環境，在本研究中，我們開發了一種可以用滾對滾製程製作的低成本微結構光學膜片，此種光學膜片可使原本以Lambertian光場形發光的LED平板燈轉換成低眩光的蝙蝠翼光場形，而此平板燈的所有光學性能將以模擬結果來呈現在此篇論文中。