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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:張家豪、劉志宏電漿量測技術

電漿製程是現今半導體元件製造過程中極為重要的一環，隨著元件尺寸不斷縮小，使用材料多元化，對於製程技術與設備開發所面臨的挑戰也就更加嚴苛，有效掌握製程腔體電漿特性除了有助於深入了解製程中所發生的諸多物理機制及化學反應，更能提供設備開發者正確資訊減少錯誤嘗試機率。本文將針對常用之電漿診斷工具包含蘭牟爾探針及電漿光譜量測進行介紹。

作者:沈家志、劉志宏電漿設備技術於次世代顯示器之發展與應用

在AI 和5G 等新興科技產業帶動下，未來市場對新興顯示器產品需求將會有大幅度的增加，而發展次世代顯示器技術已成為面板產業之重要藍圖。掌握次世代顯示器之相關的製程與設備技術將視為能否早日實現商業化量產的關鍵；然而，電漿設備與其相關製程技術占將近一半，顯示電漿技術於次世代顯示器技術重要性。本文乃介紹電漿設備及其製程技術於次世代顯示器製造之發展趨勢與應用，亦概述說明工研院機械所於電漿製程設備技術之開發及其未來展望。

作者:張奕威、Abraham Mario Tapilouw、陳俊賢大氣電漿精密鏡面拋光檢測技術

在先進製程與電子產品多元化的發展下，精密光學應用產業持續擴大，國內廠商持續投入鏡片與模仁精密加工與檢測技術的研究與發展。隨著製程技術不斷提升，精密光學鏡片多道加工成型精度規格日漸嚴苛，傳統的生產加工與離線檢測流程已無法滿足生產需求。為使生產效能與良率提升，本研究透過光干涉量測技術的整合讓五軸加工平台具備智能檢測功能，使加工與檢測流程最佳化，可於精密加工後對鏡片的表面特性進行量測與分析，並回饋數值給予加工系統進行再加工路徑規劃，藉由智慧製造的方式提升加工與檢測效率。

作者:沈家志、林冠宇、張家豪、劉志宏電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用

電漿蝕刻製程在半導體晶片製造中為相當成熟的前段製程技術，已廣泛被應用於微機電（MEMS）微加工與立體（3D）封裝中的穿孔蝕刻等流程，而近年來因應後段半導體製程之晶圓切割技術需求提升，電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用開始被關注並投入大量的開發資源。本文將會討論電漿切割於晶圓切割產業的關鍵議題與挑戰，並介紹目前電漿蝕刻設備相關進展與驗證結果。

作者:季宇文、胡恩蘭、黃昆平大面積石墨烯電極成長技術

機械所石墨烯團隊致力於開發高品質石墨烯的儲能電極，透過開發大面積電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）設備成長: 使用 915 MHz 微波電漿火炬機台（915 MHz Microwave Plasma Torch, 915MHz MPT），可有效成長出面積達15 cm X 15 cm 的石墨烯電極，其品質優異（2D/G >0.85）且均勻性可達95% 以上。915MHz MPT 具有高密度電漿、成長快速及系統穩定等優點，適合用來成長石墨烯儲能電殛，本團隊將石墨烯電極應用到有機相的超級電容上，經測試其工作電壓最高可達4.2V，明顯優於商用活性碳2.8V 之系統。

作者:黃昆平、季耀仁電漿摻雜活化之微波退火技術

隨著半導體技術演進，對鰭式電晶體淺接面摻雜及活化困難到越來越高。鰭式電晶體的鰭越做越高，且間距越做越小，傳統離子佈植及雷射活化已無法滿足需求。為避免離子佈植破壞矽晶格或因寬深比（aspect ratio）的因素造成摻雜不完全之缺點，利用化學沉積法之電漿摻雜，可彌補離子佈植之缺點；另外，寬深比大之鰭式電晶體之鰭片底部的摻雜活化，由於傳統光學加熱如快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA）或雷射（Laser）之高溫退火，一則容易造成淺接面的摻雜擴散，二則由於光學穿透不佳，無法對鰭片底部摻雜之活化。此外，本文亦將首次介紹多片晶圓微波退火的優異成果。

作者:張志振石墨烯合成反應之聚焦式微波電漿技術概論

本文所述者為一種聚焦式微波電漿反應器，乃利用圓柱形準TM011模態微波共振腔之聚集微波電場之效果，據此激發聚焦式微波電漿，從而進行各種電漿輔助化學氣相沉積反應程序，如石墨烯合成反應。