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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:葉錦清2019年半導體設備回顧與展望

根據VLSI Research 估計，2018年記憶體供不應求現象已經減緩許多，半導體設備成長幅度趨緩，產值約801億美元，相較於2017年成長13.6%。受到美中貿易戰與經濟不景氣影響，半導體設備投資趨緩，估計2019年半導體設備產值將下滑15.5%，達677億美元。展望2020年，美中貿易戰影響將逐漸緩和，全球半導體產業將復甦，同時帶動半導體設備成長約10%，達745億美元。台灣半導體設備業也同樣受到全球的景氣影響，尤其是中國大陸為台灣半導體設備重要出口國，占出口值約40.0%，估計2019年產值達810億元新台幣，相較於2018年下滑約10%。

作者:韋安琪、沈鈺翔、張尚庭應用於半導體製程即時監測之光學式氣體折射率量測系統

半導體製程技術持續朝高精密化發展，製程腔內氣體狀態之穩定將有助於維持產品品質與提升良
率，因此對於即時監測技術之需求與日俱增。本文首先分析常見之半導體製程氣體監測技術，探討其適
用範圍與特性。接著介紹一套新型之光學式氣體折射率量測系統，並說明其應用於半導體製程即時監測
之原理與初步實驗結果。

作者:張雯琪半導體晶片3D 時代的設備商機

AI世代半導體朝向3D 發展：3D NAND、3D DRAM、3D advanced logic、3D Packaging，以滿足AI 時代對運算能力、記憶體頻寬和能源效率等嚴苛需求。3D NAND 從2014 年的32 層結構起步，僅十年時間就發展到接近1,000 層的超高密度3D NAND；高頻寬記憶體（high bandwidth memory, HBM）技術也已發展到HBM4，採用12~16 層的垂直堆疊架構，預計到2038 年達成20~24 層HBM8；邏輯晶片領域，2nm 環繞式閘極（gate-all-around, GAA）技術和晶背電軌即將量產；3D 封裝更被視為延續摩爾定律的關鍵。以上半導體3D 技術發展過程，也同時為設備產業帶來商機，本文將透過觀測國際設備大廠在HBM、GAA、Packaging 領域的技術動態，評析我國設備業者在半導體3D 技術演進的機會和挑戰。

作者:沈怡如車用半導體產業發展趨勢與供應鏈競合關係

車用半導體在智慧車輛發展中扮演著至關重要的角色，隨著電動化和智慧化趨勢的興起，車用半導體成為半導體市場中成長最為快速的應用領域；特別在自動駕駛、智慧座艙、動力系統等次系統的開發上，對於車用晶片需求持續提升，亦成為各家大廠投入資源及展開布局的重點。車輛智慧化過程中，整車電子化趨勢將持續推動車用半導體發展，而車用半導體技術也將促進整車電子化的進程，兩者相輔相成。本文將介紹車用半導體整體產業發展趨勢、市場規模及供應鏈間的競爭與合作關係。

作者:黃昆平、吳采亮、黃冠中半導體多片晶圓微波退火技術開發

半導體晶圓微波退火最大特色就是可較低溫完成退火目的[1-3]，這低熱預算(thermal budge)的退火製程對半導體製造是一大優勢。半導體在前段、後段或封裝製造製程裡，對摻質活化、缺陷修補或高分子固化等需作加熱退火改質。然而半導體製程隨著摩爾定律的演進，為避免摻質擴散或對材料結構的破壞，退火可容許的溫度較過去越來越低。半導體材料的成分鍵結可對微波能量直接吸收，進而產生振動或轉動達到低溫的退火目的。微波波長長穿透性高，很適合進行多片晶圓同時退火處理的開發，以達到提升產能的功效。

作者:林義暐、鄭貴元、呂文鎔、丁嘉仁、張高德碳化矽裂片技術淺談與其產業應用

根據IHS（Information Handling Services）Markit的預測，全球功率半導體市場規模將以年增長率4.1%的速度成長。其中，以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽（Silicon Carbide, SiC）為例，此材料具備高頻、高功率、耐高溫且耐高壓的電器特性，預期未來會更廣泛的應用在電動車、充電樁、太陽能、離岸風電、基地台與5G等[1]。硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術進行晶錠切割，許多公司都投入資源進行相關的技術研發。本文將針對近年來各種主要切割技術進行討論與分析，提供讀者在進入晶錠切割技術領域的參考。

作者:黃昆平、季耀仁電漿摻雜活化之微波退火技術

隨著半導體技術演進，對鰭式電晶體淺接面摻雜及活化困難到越來越高。鰭式電晶體的鰭越做越高，且間距越做越小，傳統離子佈植及雷射活化已無法滿足需求。為避免離子佈植破壞矽晶格或因寬深比（aspect ratio）的因素造成摻雜不完全之缺點，利用化學沉積法之電漿摻雜，可彌補離子佈植之缺點；另外，寬深比大之鰭式電晶體之鰭片底部的摻雜活化，由於傳統光學加熱如快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA）或雷射（Laser）之高溫退火，一則容易造成淺接面的摻雜擴散，二則由於光學穿透不佳，無法對鰭片底部摻雜之活化。此外，本文亦將首次介紹多片晶圓微波退火的優異成果。