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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:黃昆平、吳采亮、黃冠中半導體多片晶圓微波退火技術開發

半導體晶圓微波退火最大特色就是可較低溫完成退火目的[1-3]，這低熱預算(thermal budge)的退火製程對半導體製造是一大優勢。半導體在前段、後段或封裝製造製程裡，對摻質活化、缺陷修補或高分子固化等需作加熱退火改質。然而半導體製程隨著摩爾定律的演進，為避免摻質擴散或對材料結構的破壞，退火可容許的溫度較過去越來越低。半導體材料的成分鍵結可對微波能量直接吸收，進而產生振動或轉動達到低溫的退火目的。微波波長長穿透性高，很適合進行多片晶圓同時退火處理的開發，以達到提升產能的功效。

作者:林義暐、鄭貴元、呂文鎔、丁嘉仁、張高德碳化矽裂片技術淺談與其產業應用

根據IHS（Information Handling Services）Markit的預測，全球功率半導體市場規模將以年增長率4.1%的速度成長。其中，以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽（Silicon Carbide, SiC）為例，此材料具備高頻、高功率、耐高溫且耐高壓的電器特性，預期未來會更廣泛的應用在電動車、充電樁、太陽能、離岸風電、基地台與5G等[1]。硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術進行晶錠切割，許多公司都投入資源進行相關的技術研發。本文將針對近年來各種主要切割技術進行討論與分析，提供讀者在進入晶錠切割技術領域的參考。

作者:黃昆平、季耀仁電漿摻雜活化之微波退火技術

隨著半導體技術演進，對鰭式電晶體淺接面摻雜及活化困難到越來越高。鰭式電晶體的鰭越做越高，且間距越做越小，傳統離子佈植及雷射活化已無法滿足需求。為避免離子佈植破壞矽晶格或因寬深比（aspect ratio）的因素造成摻雜不完全之缺點，利用化學沉積法之電漿摻雜，可彌補離子佈植之缺點；另外，寬深比大之鰭式電晶體之鰭片底部的摻雜活化，由於傳統光學加熱如快速升溫退火（rapid thermal annealing, RTA）或雷射（Laser）之高溫退火，一則容易造成淺接面的摻雜擴散，二則由於光學穿透不佳，無法對鰭片底部摻雜之活化。此外，本文亦將首次介紹多片晶圓微波退火的優異成果。