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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:劉俊葳、張高德、翁志強、陳稺榤、李佑昇、伍必霈高精度光學透鏡電漿拋光技術

本研究在傳統拋光製程後利用微能量束作形狀修整技術，以達到高精度品質之玻璃透鏡。大氣電漿噴嘴設計為以RF射頻電源驅動噴流，並藉由內外雙套管的設計，於內管內導入電漿製程氣體，外管導入限制電漿束尺寸的惰性氣體，以此調控內外氣體種類以及流量，實現單一噴嘴以氣流侷限方式控制電漿中央區的範圍以調控能量束口徑狀態。本實驗同時採用光學放射光譜儀分析電漿物種隨氣體比例以及功率等參數的變化，了解電漿反應與表面狀態、蝕刻速率的關係，以獲得一最佳的拋光參數。由實驗結果得知玻璃透鏡表面之蝕刻率可控制在50 nm/min至450 nm/min，表面粗糙度可達< 5 nm。

作者:林博鏞大氣電漿在玻璃表面清潔製程之應用

作者:鄭明憲應用於大氣電漿之高壓電源研製

軟板表面清潔技術一直是軟性電子產品生產中主導良率重要之環節，現有軟板清潔製程主要採用電漿清潔製程設備，但真空電漿設備成本昂貴，因此目前技術開發多朝大氣電漿技術邁進。大氣電漿設備其關鍵為高壓電源之開發，本研究利用換流器相移技術來進行功率控制，換流器操作頻率為28 kHz ~ 40 kHz間，並製作一電壓可達13.5 kV之高壓變壓器，其鐵心採用並聯的方式，並以多級串聯的方式升壓，應用於6 kW高功率電源上，效率高達96 %，本文將針對高壓電源關鍵技術之操作原理和分析做一詳盡介紹。

作者:陳志明、張瀛方、偕睿仁大氣電漿技術在透明導電高分子膜圖案化之應用

根據Nanomarkets（2008）的研究報告[1]指出，到2015年氧化銦錫（Indium Tin Oxide, ITO）的使用比例將會下降至45 %，並由導電高分子（18 %）、奈米碳管（15 %）與奈米材料（9 %）等材料取代。除了銦元素蘊藏量有限及成本等因素考量外，最重要的是可撓性的產品需求趨勢使然。圖案化是任何一種材料應用於投射式電容觸控元件的必要關鍵製程，本文將針對導電高分子膜圖案化技術作介紹。

作者:王明德製程綠能化－低溫大氣壓電漿技術創新應用

當近來紀錄片「看見台灣」掀起國內新一波保護國土熱潮，也讓民眾開始從另類視角來檢視山川河海多年來所承受的種種傷害與威脅，進而期待政府與相關民間業者，面對長久過度發展產業下，同時帶來的污染及環境威脅。在產業與經濟發展密不可分的關係下，台灣未來經濟發展對於綠色先進製程技術之需求日益殷切，需這些技術的研發成果可發生重大影響力，無疑更值得我們重視。

作者:蘇濬賢、楊國煇、蔡陳德、張瀛方、翁志強大氣電漿大面積薄膜沉積技術

電漿技術發展至今已廣泛應用於各產業，特別於光電產業之製程應用為最；然而，習知的電漿技術需於真空環境下進行，對於欲處理之工件會受限於真空腔體之尺寸大小。本文乃介紹工研院機械所於大氣壓電漿（Atmospheric Pressure Plasma，APP）製程設備技術之開發及其應用，內容包括大氣壓電漿技術之特色與比較、電漿機構設計與分析模擬及針對大面積薄膜沉積於光電產業之應用。

作者:林冠宇、張家豪、李侃峰、胡家睿電漿製程設備之電控系統技術

目前材料表面改質或清潔技術多為濕式化學或真空製程，在環保及設備成本上為其主要議題；工研院以自有常壓電漿處理模組專利及製程自動化能力，結合疏水藥劑建構保護玻璃抗污技術，主要導入市場為材料表面改質、清潔及鍍膜產業應用，其設備預期可減少1/3以上之藥劑使用，對環境更加友善。

作者:胡家睿、梁金興、林冠宇大氣電漿之電漿源設計介紹

隨著台灣半導體產業的蓬勃發展與其製程相關之電漿技術也成為越來越不可或缺的腳色，產業競爭的情況下整體製程會往單位面積下高密度產出以及高能源使用效率的方向來進行提升，因此越來越多研究轉向常壓下可執行之電漿加工，近年來大氣電漿的技術突破使得表面加工變得更加靈活，依據不同的加工條件、加工效果而衍生出各式不同之電漿源之設計，本文在此將對目前常見的幾種大氣電漿源做其運作機制之解析，文中也將提出一種新式旋風型電漿源之設計。

作者:丁嘉仁、翁志強、劉俊葳碳化矽晶圓複合加工技術

碳化矽雖具有優異材料物理特性，目前為繼矽晶圓材料之後，被注目看好之替代材料。但其材料堅硬（達莫氏硬度9.25~9.5）加工耗時成為產能上之瓶頸，導致成本居高不下。本研究以大氣電漿改質軟化輔助拋光之技術，結合化學機械拋光製程，整合開發創新碳化矽晶圓複合拋光技術，達到加速4吋碳化矽晶圓拋光製程之移除效率，並提升基板之表面拋光品質。

作者:翁志強、劉展羽、李祐昇、丁嘉仁、張高德大氣電漿輔助鑽石拋光技術

作者:翁志強、李祐昇、丁嘉仁、張高德、楊志強、曾永標大面積大氣電漿改善輪磨加工後碳化矽晶圓翹曲量的先期研究

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙半導體材料，是克服矽在高壓/高功率器件中局限性的具吸引力候選材料，已廣泛的被應用在儲能、風電、太陽能、電動車等對高功率、高壓具高度要求的產業。然而，眾所周知，碳化矽因其超硬、脆性和熱化學穩定性的固有特性而難以進行高效和平滑的加工。再者，因應SiC晶圓尺寸的放大，具有高材料移除效率的輪磨製程逐漸成為加工的主流之一。然而，由於塑性變形和斷裂等「應力誘導」現象，研磨過程不可避免地會在晶圓表面下方引入損傷層。本文嘗試以自行發展的大氣電漿乾式蝕刻設備，去除輪磨加工應力導致的翹曲。實驗初步結果顯示大氣電漿設備可快速且有效的將晶圓翹曲量由單面輪磨(採用8000號砂輪)後的110-150 µm，降回10-20 µm（輪磨前的晶圓翹曲量）。