機械工業網 - 機械產業的入口網站

:::

歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:黃萌祺、高端環3D IC高深寬比銅電鑄製程技術

3D封裝整合能達到更小之封裝尺寸、更小的能源消耗與更高之傳輸速率，3D封裝技術相較於傳統的二維導線連接技術，具有更短之傳輸距離與更小之尺寸，這是因為IC晶片能直接貫穿連接，而不需其他連接線路，故被認為是未來封裝主流技術，而銅填孔於矽穿孔中當作連接層為重要之技術，其深寬比必須高達10，故本論文將探討高深寬比銅填孔製程。

作者:黃萌祺、高端環、柯志諭3D IC銅電鍍製程與設備

未來消費性電子產品將朝向輕、薄、短、小及多功能等方向發展，而傳統的二維導線連接技術已無法滿足高速傳輸與晶片體積等問題，將逐漸被3D IC構裝技術所取代。由於高深寬比之銅填孔製程中需要使用特殊的電鍍液及電鍍設備，且因電鍍時間相當長，因此3D TSV製程中以銅填孔（Via Filling）及接合製程占成本之最大比例。本論文將探討TSV填孔電鍍原理及目前填孔專用電鍍設備架構的設計趨勢，並針對TSV銅電鍍技術進行分析及評估，指出TSV銅填孔電鍍技術對TSV通孔製程之影響。

作者:陳孟群、黃振榮、李侃峰精密定位技術於先進封裝製程之應用

由於IC元件線寬已達到小於十奈米等級，這些IC元件的整合與封裝必須採用更短的路徑和導線來連結，降低連線的電阻與電容效應所產生的延遲，才能真正發揮這些元件的效益。加上近年來穿戴式行動裝置的日漸普及，為了達成電子產品體積更小、功耗更低及性能更佳等需求，先進封裝製程如3D/2.5D IC封裝，近年來技術發展迅速，已成為封裝新趨勢。本文將針對先進封裝製程所需的精密定位技術，主要在晶片堆疊等製程的應用進行探討。