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作者:黃萌祺、高端環、柯志諭
3D IC銅電鍍製程與設備
未來消費性電子產品將朝向輕、薄、短、小及多功能等方向發展,而傳統的二維導線連接技術已無法滿足高速傳輸與晶片體積等問題,將逐漸被3D IC構裝技術所取代。由於高深寬比之銅填孔製程中需要使用特殊的電鍍液及電鍍設備,且因電鍍時間相當長,因此3D TSV製程中以銅填孔(Via Filling)及接合製程占成本之最大比例。本論文將探討TSV填孔電鍍原理及目前填孔專用電鍍設備架構的設計趨勢,並針對TSV銅電鍍技術進行分析及評估,指出TSV銅填孔電鍍技術對TSV通孔製程之影響。
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