機械工業網 - 機械產業的入口網站

:::

歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:陳柏志、張存均、林正軒、林建羽高靈敏度磁感測技術研究

本文旨在開發高靈敏度磁感測技術，以突破現有磁感測器的性能限制，並拓展其在各領域的應用。以高靈敏度為開發目標，透過對於現有感測器的理論分析、材料結構與實驗設計，發展創新的技術，以達成高靈敏度磁感測技術。運用基於磁穿隧接合堆疊結構與磁通量導引結構等技術，所研究的感測器在室溫零場下的靈敏度高達4.66×104 %/mT，偵測率估計在1 Hz時約為23 pT/Hz1/2，100 Hz 時為2.3 pT/Hz1/2。整體而言，所研究的磁阻感測器在室溫高靈敏度低場測量方面具有巨大的應用潛力。本研究成果將有助於推動磁感測技術在汽車工業、導航、生物醫學、材料科學等領域的應用。

作者:邱凡芸、黃昆平MRAM MTJ結構之微波退火優勢

磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)是一種在磁疇中儲存數據的非揮發性記憶體技術，具有存取速度快、節能、元件的耐用性高和讀取的穩定性佳等特點。MRAM 的基本構造是磁穿隧接面 (Magnetic Tunneling Junction, MTJ)，由兩層鐵磁層中夾一層絕緣層，主要依靠鐵磁層的磁矩方向來儲存二進位資訊，其可透過操縱其中一層的磁化強度，可以藉由微小電流或磁光效應量測MTJ電阻值來讀取資料。傳統MRAM製程需要在外加磁場下進行退火來形成或加大垂直磁各向異性，通常的磁退火溫度範圍在250~400°C，外加磁場強度為0.3~0.9 Tesla，且為避免磁性材料氧化，所以退火時需要在約1×10-6 torr超高真空的環境中進行4小時。本文透過微波退火的方式，建立一免外加磁場、低溫、常壓並短時間即可達成傳統微波退火之功效。