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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:魏拯華、李隆盛電動車用馬達驅控功率模組技術之關鍵零組件開發

在高效能車用電動馬達系統中，高效能的高功率電晶體與高功率二極體是該系統的核心元件以及能量損耗所在之處。因此本文章針對高效能功率元件作為切入點，對於矽基與寬能隙半導體（氮化鎵、碳化矽）材料所做元件之性能優勢、缺陷作分析。最後挑選出較為適用於電動車的功率電子元件技術。

作者:崔燕勇、葉保杰一噴灑頭式MOCVD反應器之流場及GaN薄膜成長模擬分析

本研究利用計算流體力學的方式分析探討一新型垂直噴灑式MOCVD反應器之熱流場及GaN薄膜成長效能，此參考模型係經濟部矽基氮化鎵LED科專計畫與工研院共同開發的噴灑頭式反應器，反應器成分氣體之擴散可藉由數值方法對各輸送方程式求解。首先針對噴灑頭內不同氣體通過之多個同心圓管道流量分布的均勻性做探討，其次利用氣相反應及表面反應的化學動力模式對GaN在晶圓表面的沉積速率做預測，透過改變反應腔體內的壓力及承載盤的轉速，探討這些參數對薄膜成長的影響，並從所觀察到的腔內流場對所得的結果做出說明。

作者:鄭時龍、吳至強、成維華氮化鎵功率電晶體之電性萃取

本研究檢測氮化鎵FET之輸出電性特性。電性特性量測包含ID-VD特性曲線、臨限電壓及功率寄生電容的量測。透過ID-VD特性曲線量測可以檢知功率電晶體最大飽和電流、轉角電壓及導通電阻等特性；臨限電壓量測可以檢知多少閘極偏壓下能使功率電晶體導通；寄生電容量測則可以得知功率電晶體寄生電容影響功率電晶體的開關切換速度。量測的電性特性規格建立在參考市售的加強型、空乏型MOSFET及加強型氮化鎵FET。比較目前加強型氮化鎵FET及交大實驗室所研發空乏型NCTU氮化鎵FET之輸出電性特性。透過建立一套標準規格的電性量測可以提供設計上所需的必要資訊，並可將量測的電性參數建立至元件等效電路模型以模擬實際電路。高功率的輸出應用勢必需並聯多個功率晶體，因此晶體的電性萃取、參數的差異篩選及電性特性模型建立對於晶體的並聯均流在功率系統中是一門相當重要的議題。