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歷史雜誌

依專輯名稱關鍵字搜尋或依年份搜尋，年份輸入範例202406

作者:林冠宇、陳義昌、張家豪、呂政倫、沈家志、劉志宏晶圓式電漿感測系統

目前半導體製程中對電漿參數的即時監測仍依賴機台端感測器與製程後的檢測分析，無法直接掌握製程中晶圓表面的實際電漿條件。晶圓式電漿感測系統可直接模擬實際晶圓，在製程環境中即時收集電漿參數，有效彌補目前缺乏「製程原位感測」的技術缺口，有助於提高製程控制精度與產品良率。本晶圓式電漿感測系統採用與12 吋製程晶圓相同尺寸與材質之感測晶圓，具備高度相容性，能直接進入製程反應腔體中，不影響原有設備運作，其透過內建多點感測元件，可即時量測電漿製程中的電漿特性參數，如：電漿電位、浮動電位、電漿密度等關鍵參數。相較於傳統診斷系統於腔體外部侵入進行單點感測方式，本系統能快速透過感測晶圓多點蒐集的數據，提供更接近實際製程條件下的真實量測資訊，並可完整反映製程腔體中不同位置的電漿行為，將有效協助製程優化、故障診斷與設備維護。此技術將能應用於先進半導體製程中的電漿蝕刻與薄膜沉積設備，能大幅提升製程控制精度、穩定性與最終產品良率，並有助於縮短製程開發週期與降低生產成本。

作者:林冠宇、呂政倫、劉志宏蛇腹式電漿診斷分析系統

本文針對所設計之蛇腹式電漿診斷分析系統進行實驗量測分析與驗證及電漿特性參數驗證，協助國內設備業者縮短整機開發驗證時程（3小時→1小時），並藉由全面域量測技術（13點 @12吋晶圓），來加速設備驗證電漿密度（> 94 % @12吋晶圓），本系統未來將有效解決設備空間限制因素，無法快速驗證電漿特性之問題，並提供國內設備業者進行全面域量測技術。

作者:張家豪、蘇郁仁、黃威電漿離子能量分佈量測技術

現代半導體元件製造過程中，舉凡電漿蝕刻(plasma etch)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)等電漿相關製程均扮演極為重要的角色。如何提升製程良率及產量，成為製造商彼此間相互競爭的重點開發項目，也是設備廠商所需面對的課題之一。而隨著半導體元件尺寸不斷縮小，使用材料多元化，對於製程技術與設備開發所面臨的挑戰也就更加嚴苛，唯有深入了解製程腔體中電漿特性參數，才能夠掌握製程反應機制與結果。而電漿蝕刻製程中離子能量大小對製程結果，諸如蝕刻率、蝕刻選擇比及表面輪廓控制等，都有顯著的影響。本文將針對離子能量分佈(Ion Energy Distribution, IED)量測方法進行介紹。

作者:張家豪、劉志宏電漿量測技術

電漿製程是現今半導體元件製造過程中極為重要的一環，隨著元件尺寸不斷縮小，使用材料多元化，對於製程技術與設備開發所面臨的挑戰也就更加嚴苛，有效掌握製程腔體電漿特性除了有助於深入了解製程中所發生的諸多物理機制及化學反應，更能提供設備開發者正確資訊減少錯誤嘗試機率。本文將針對常用之電漿診斷工具包含蘭牟爾探針及電漿光譜量測進行介紹。