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作者:呂建興
全球寬能隙半導體設備產業的機遇與挑戰
碳化矽(SiC)作為第三類半導體材料,在電動車、5G通訊等領域潛力巨大。目前,國際大廠主導設備市場,臺灣面臨技術與成本挑戰。本文分析全球碳化矽半導體製程設備趨勢,聚焦單晶生長、薄膜沉積、精密加工與檢測等關鍵技術。針對臺灣,建議發展自主知識產權、推動產學研合作、強化國際鏈結,以提升在全球供應鏈中的競爭力,把握產業發展機遇。
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