::: 前往中央內容區塊
:::
  1. 回首頁
  2. 機械工業雜誌
  3. 當期雜誌

當期雜誌

作者:張志振石墨烯合成反應之聚焦式微波電漿技術概論

本文所述者為一種聚焦式微波電漿反應器，乃利用圓柱形準TM011模態微波共振腔之聚集微波電場之效果，據此激發聚焦式微波電漿，從而進行各種電漿輔助化學氣相沉積反應程序，如石墨烯合成反應。

作者:張志振熱力學與最小作用量原理概論

古典力學（Classical Mechanics）與熱力學（Thermodynamics）皆為機械工程學基礎理論，而工程的基礎在於強固的理論。本文試將論述兩者之間的關聯，此舉或盼能為研究人員提供一個關於熱力學的較簡明論述，或盼從而獲得一個簡化處理熱力學問題的方法。

作者:黃昆平、張志振、胡竹生、趙天生、李耀仁半導體微波退火設備開發

若對材料施以正確的電磁波頻率，可對材料於較低溫度完成退火，達到節能減碳的目的。在工業上對微波頻段的電磁波吸收良好材料，若對工件施以微波加熱或退火，可於較低溫及較短時間就達到加熱或退火目的，同時達到節能及省時的功效。本文將介紹低頻微波（2.45 GHz）加熱技術於半導體摻質活化之應用，以低溫微波退火避免摻雜質擴散，以符合未來半導體5 nm以下之前段製程需求。

作者:張志振應用於太陽電池製程之電漿源分析

作者:張志振射頻電容耦合電漿源中的電漿電位

作者:呂俊頡、邱博文、黃昆平、張志振以化學氣相沈積法製備大面積單層石墨烯

作者:黃昆平、賴致瑋、張志振、邱博文電子迴旋共振化學氣相沈積法成長石墨烯及其後處理

石墨烯（Graphene）在低溫實驗中，載子遷移率可達到200000 cm2/V‧s，是現今矽材料的千倍以上，具穩定的化性、機械強度、低電阻等特色，不管用在內部連接（interconnect）、電晶體（transistor）、液晶顯示器透明電極等，非常適合半導體技術及應用。目前以真空方式ECR CVD成長出來的石墨烯是屬於損傷石墨烯（damaged graphene），缺陷甚多必須佐以表面熱處理來改善品質。目前有測試高溫退火、氬離子電漿及微波退火方式進行石墨烯之改質。其中以（a）微波退火以及（b）氬離子電漿加退火可明顯地降低石墨烯的片電阻值。

作者:曾文彥、蘇志祥、羅志偉、黃昆平、張志振免焊料及助熔劑之高溫超導薄膜接合技術

本研究利用微波將兩塊高溫超導釔鋇銅氧（YBa2Cu3O7-δ）薄膜，從室溫加熱至熔融狀態，並在施加適當壓力下，使兩塊高溫超導薄膜可以在不用焊料及助熔劑的情形下黏合在一起。經不同溫度下薄膜電阻的檢測，確認接合後的薄膜仍具高溫超導的特性。此研究結果將可進一步應用於製作無限長之高溫超導線材。

作者:賴識翔、黃昆平、張志振、林育霆成長大面積石墨烯薄膜與多源電子迴旋共振化學氣相沉積設備

石墨烯的載子遷移率可達200000 cm2/V·s，是現今矽材料的百倍以上，因此吸引了很多科學家的注意。如何大面積成長石墨烯薄膜是未來應用於透明導電膜上重要課題之一。本文將說明大面積石墨烯薄膜發展近況，以及工研院機械所已成功發展出多源電子迴旋共振化學氣相沈積（MECR CVD）系統來製作少數層之石墨烯薄膜。我們的目標是以電漿方式直接成長370 mm × 470 mm的乾淨石墨烯，在文中將描述MECR CVD真空系統的電漿特性、電漿成分分析結果以及成長的石墨烯將藉由Raman光譜與X射線光電子能譜做特性分析。

作者:張志振以傳輸線原理探討石墨烯之固態物理特性

石墨烯為一新興之固態材料，其特殊之性質近年不斷為固態物理學所揭露。不需藉由經典之固態物理理論方法推演，以傳輸線原理探討石墨烯之基本特性，可以得到與固態物理所得之相同結果，而其物理意義則更為直觀。此方法將主題類比為傳輸線電路學問題予以探討，因此本文之主要篇幅即演繹此方法並詮釋其物理意義。

作者:季宇文、黃昆平、張志振微波電漿火焰法成長石墨烯粉末

石墨烯（grapheme）有非常優異的材料特性，不論是高導電率或是強韌的機械性質都可以成為劃時代產品的主要原料。利用微波電漿火炬（Microwave Plasma Torch, MPT）在大氣環境下生產高品質之石墨烯粉，本方法目前產率達31 %，是目前乾式直接成長石墨烯粉產率最高者，所製得之石墨烯粉因表面無任何官能機殘留，經驗證不易再堆疊（restack）成石墨，可降低分散劑之使用量，並維持石墨烯表面荷電量。而現在最主要的應用則是作為儲能元件，若可以藉由MPT機台更一步的改良得到高品質與高產量之石墨烯粉，便可達到實現量產商品化的目標。

作者:張志振低溫電漿概論

低溫電漿程序已廣範應用於半導體製程，然電漿設備自製率於台灣仍然偏低。本文乃論述各類低溫電漿原理與特性，以期國內機械與半導體產業再次升級，並收拋磚引玉之效
TOP