作者:呂曼寧、高端環、凡恩森、陳玠錡、廖翌安、林敬捷、黃萌祺解鎖TGV 銅填孔技術中通孔間距扮演的關鍵角色
玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）技術為次世代先進封裝與面板級異質整合的重要關鍵。然而，高深寬比TGV 銅填孔製程容易受到添加劑交互作用、電流分布及通孔間距（pitch）差異影響，導致孔洞、填孔不均勻等缺陷。本研究提出結合階梯式脈衝電鍍與單一添加劑系統創新銅填孔技術，透過脈衝電流調控與沉積行為最佳化，有效平衡不同pitch結構中的銅成長速率，實現均勻且無缺陷的由下而上填孔，同時，導入應力緩衝層設計，降低研磨製程中殘留應力及玻璃破裂風險。本技術可於不同pitch條件下達成高品質、低面銅且無缺陷之TGV銅填孔，具備大面積面板製程與量產應用潛力。