作者:林冠宇、陳義昌、張家豪、呂政倫、沈家志、劉志宏晶圓式電漿感測系統
目前半導體製程中對電漿參數的即時監測仍依賴機台端感測器與製程後的檢測分析，無法直接掌握製程中晶圓表面的實際電漿條件。晶圓式電漿感測系統可直接模擬實際晶圓，在製程環境中即時收集電漿參數，有效彌補目前缺乏「製程原位感測」的技術缺口，有助於提高製程控制精度與產品良率。本晶圓式電漿感測系統採用與12 吋製程晶圓相同尺寸與材質之感測晶圓，具備高度相容性，能直接進入製程反應腔體中，不影響原有設備運作，其透過內建多點感測元件，可即時量測電漿製程中的電漿特性參數，如：電漿電位、浮動電位、電漿密度等關鍵參數。相較於傳統診斷系統於腔體外部侵入進行單點感測方式，本系統能快速透過感測晶圓多點蒐集的數據，提供更接近實際製程條件下的真實量測資訊，並可完整反映製程腔體中不同位置的電漿行為，將有效協助製程優化、故障診斷與設備維護。此技術將能應用於先進半導體製程中的電漿蝕刻與薄膜沉積設備，能大幅提升製程控制精度、穩定性與最終產品良率，並有助於縮短製程開發週期與降低生產成本。