技術諮詢

2026 touch Taiwan 智慧顯示展 - 創新技術館 2026/04/01

本主題館由工研院機械與機電整合研究所、南分院、金屬工業研究發展中心等法人單位共同策劃，展出涵蓋「先進封裝與關鍵模組」、「化合物半導體」多元應用與服務。

面板級封裝金屬化技術適用於玻璃、碳化矽與陶瓷中介板，支援深寬比AR 10-20 通孔結構。

本系統可進行19點空間電漿數據即時量測與擷取，檢測速度提升10倍（100分鐘→10分鐘）。

發展大氣微電漿束與離子束非接觸修整技術，建立奈米級面型修正能力，並製作出面型精度達 1/20 λ 與 1/10 λ之校準光學元件，可用於高階半導體與精密量測系統。

顯微干涉同步檢測模組，將2D顯微及3D干涉兩技做共光路整合，有節省40%成本、減少50%傳輸量測時間、即時共視野分析等優點，應用於先進封裝CD/OL量測、Hybrid Bonding及Patterned Wafer量測等。

首創電漿固態氟源模組，裂解含氟固體即時生氟源（F-radicals ），取代PFCs，製程減碳逾50%。

低蒸氣壓前物可控穩定氣化、精準供料；抑制冷凝推積；提升供應穩定、薄膜均勻與製程可靠度。

大尺寸鋁合金低變形／高精度技術加工精度 ≦ ±5μm、平面度 ≦ 4μm。

石英盤模組以雷射光學微鑽孔加工技術，實現高密度選擇性、高深寬比半導體乾蝕刻製程應用。

靜電吸盤模組整合介電材料與電極設計，提供定吸附與溫控能力，適用於半導體製程設備。

藍光多層直接雷射沉積熔覆技術，建立重電高壓導體管件送線銲接技術，具異型路徑應用、低孔隙與低噴濺之技術成果。

超快雷射鑽孔技術可在高硬度SiC上實現高長徑比、小孔徑與高重精度，不產生刀痕與工具磨耗，能大幅降低崩邊、微列紋與顆粒污染。

用於功率電力電子之隔離磁性元件，低損且熱傳佳，適用IH阻抗匹配、電動車充與先進能源。

AI賦能SiC長晶：高能效電源模組實現精準控溫，降低高溫製程能耗，優化長晶穩定度。