此解決方案提升高深寬比鍍膜品質,並以複合共腔設計減少傳輸與抽氣,節能20%,降低成本、提高良率與均勻度。
This solution enhances high aspect ratio coating quality through a composite co-chamber design that reduces transport and pumping requirements, achieving a 20% energy savings while reducing costs, increasing yield, and improving uniformity.
開發高深寬比交叉流場ALD製程,建立創新關鍵模組技術,及突破國外專利壟斷而補足產業技術缺口,建構台灣半導體整機設備自主能量,可切入半導體國際供應鏈。
發展電漿診斷分析系統,能有效解決因設備空間限制無法檢測電漿特性之問題,更能確保其製程穩定性,進一步帶動國內半導體製程設備自主化。電漿特性量測範圍:
全球首創高深寬比交叉流場ALD鍍膜系統,建構複合電漿輔助交叉流場注入精密控制技術,達國際水準高深寬比(10:1)多元成份保形披覆奈米膜層,膜厚均勻性達97%,有效提升半導體元件密度與品質特性。
與旭宇騰精密科技合作開發ALD鍍膜設備,達成高深寬比低溫ALD及多元成分3D垂直陣列製程調控,並協助Maker/SI廠開發關鍵模組與設備,深耕工業基礎技術。
臺灣勇奪12項全球百大科技研發獎 僅次於美國 獲獎數全球第二
經濟部於2023半導體展發表52項前瞻技術 甫獲2023 R&D 100大獎之二奈米製程鍍膜設備首度亮相