電漿製程關鍵模組與整機設備技術 2025/10/14

簡介 Introductions

電漿模組是半導體製程設備的關鍵核心，但長期以來受制於美、日大廠，是目前需突破的產業痛點。本技術聚焦解決電漿鍍膜與蝕刻製程中的電漿密度、均勻性及穩定性等調控難題，致力提升製程速率與良率，解決關鍵技術的瓶頸。

技術優勢及特色

電漿設備關鍵模組

• 金屬加熱模組在12吋晶圓與300℃高溫環境下，溫控均溫性 ≧ 98%。
• 低耗能電漿火炬、對化學物質(CF4)裂解與去除效率(DRE)達85%。

高密度均勻電感偶合式電漿源

• 雙螺旋感應線圈設計，提升電漿密度及均勻性。
• 低壓製程環境下(10 mT)，電漿源均勻性高達97%。
• 電漿密度達4.4x10¹¹cm^-3。

高深寬比交叉流場ALD製程設備

• 採用複合離散式脈衝注入精密控制，滿足多元合金的高深寬比鍍膜需求。
• 階梯覆蓋膜厚均勻性達92%。

產業應用及商機

• 可應用產業
• 半導體、光電與PCB。
• 應用實例
• 串聯上下游供應鏈，與近20家廠商合作，推動設備與關鍵模組國產化 >70%，建立電漿產業聚落，提升設備自主化能力。與龍頭終端客戶合作，開發高深寬比(10:1以上)孔洞關鍵膜層鍍膜(氧化物及氮化物)與蝕刻製程設備，建立原子層鍍膜(交叉流場)與雙螺旋ICP蝕刻技術，完成國內高製程均勻性電漿設備，協助廠商縮短開發時程及營運成本。