電漿模擬與電漿檢測技術 2023/07/11

簡介 Introductions

在奈米元件薄膜電漿製程中，離子能量與通量密度主導蝕刻各向異性、鍍膜緻密度、製程速率與均勻性，但目前缺乏即時量測與多物理耦合模擬，難以達成參數最佳化。本技術以晶圓式電漿感測與診斷技術，取代低效的離線分析，即時掌握關鍵參數並加速設備驗證，顯著提升先進節點量產穩定度與良率。

技術優勢及特色

電漿模擬分析

• 電漿多重物理量耦合模擬分析，涵蓋氣流、熱傳遞、電磁場與化學反應。
• 優化關鍵模組設計，縮短1/3開發時程。

非侵入式射頻離子診斷模組

• 以射頻參數計算基板表面離子能量分布，再回授基板偏壓輸出波形，控制中心能量。
• 導入類神經網路射頻相位校正訓練，即時分析監控晶圓表面離子能量參數。

晶圓式電漿量測模組

• 平面三極式探針，厚度≦2mm；可配置≧19個探測點。
• 無需掃描偏壓，量測速度提升10倍。

產業應用及商機

• 可應用產業
• 半導體、光電與PCB。
• 應用實例
• 與國內半導體設備商合作進行磁場、熱變形及熱流分析驗證，並成功導入電漿鍍膜整機設備。與國內半導體設備廠合作驗證非侵入式電漿離子能量即時診斷分析技術，並成功提升國內半導體設備關鍵零組件之自給率。