高深寬比交叉流場ALD製程開發 2025/03/21

簡介 Introductions

此解決方案提升高深寬比鍍膜品質，並以複合共腔設計減少傳輸與抽氣，節能20%，降低成本、提高良率與均勻度。

This solution enhances high aspect ratio coating quality through a composite co-chamber design that reduces transport and pumping requirements, achieving a 20% energy savings while reducing costs, increasing yield, and improving uniformity.

特色與創新 Characters and Innovations

開發高深寬比交叉流場ALD製程，建立創新關鍵模組技術，及突破國外專利壟斷而補足產業技術缺口，建構台灣半導體整機設備自主能量，可切入半導體國際供應鏈。

• 深寬比≧ 10:1 @ ≦φ5µm孔。
• 階梯覆蓋膜厚均勻性92%以上。
• 多成分材料鍍膜: ≧ 3（GST、doping）。
• 促使整機自主率達到30%→60%。