電漿鍍膜與蝕刻技術 2025/12/01

電漿鍍膜與蝕刻為重要半導體元件製造技術，常見問題包括如何調控設備的電漿密度、均勻性與穩定性，以及如何提升製程速率、良率，並解決製程中的缺陷與瓶頸。

技術優勢及特色

電腦模擬分析及優化設計

• 電漿多重物理量耦合模擬分析，涵蓋氣流、熱傳遞、電磁場與化學反應。
• 優化模組設計，設計時程減少 1/3。

高深寬比交叉流場 ALD 製程設備

• 採用複合離散式脈衝注入精密控制，滿足多元合金/高深寬比鍍膜需求。
• 階梯覆蓋膜厚均勻性達 92%。

高密度均勻電感偶合式電漿源

• 雙螺旋感應線圈設計，提升電漿密度及均勻性。
• 電漿源均勻性 ＞ 97%。
• 電漿密度 ＞ 2×10¹¹ cm⁻³。

產業效益及商機

• Industry Applications:
  PCB、光電與半導體業。
• Application Examples:
  1. 與PCB設備廠合作，運用多重物理耦合技術，解決業界製程均勻性不佳 (＜70%) 之問題，協助業界加速設計關鍵模組，成功打造製程高均勻性 (＞89%) 電漿設備，並導入載板製造業場域，提升設備自主化能力。
  2. 與龍頭終端客戶合作，開發高深寬比 (10:1 以上) 孔洞關鍵膜層鍍膜 (氧化物及氮化物) 製程設備，建立原子層鍍膜技術 (交叉流場)，協助廠商縮短開發時程、營運成本。