2025.12.01先進綠能

高效率微波加熱技術

現行採用微波加熱技術，其波長可對物質直接穿透加熱，局部升溫速度快、半導體工件退火製程工作溫度較低，局部達到升溫目標的時間縮短，但在熱度均勻性的精密調控上，仍待製程控制上進一步突破。

2025.12.01先進綠能

硬脆材料研拋技術

硬脆材料，尤其是碳化矽 (SiC)，在下一代半導體產業中扮演著重要角色。由於 SiC 硬度極高，加工技術門檻也隨之提高，加工時間比以往多 10 倍以上。為因應此挑戰，本技術開發特用製程和設備，提升產出效率及品質。

2025.12.01先進綠能

高深寬比玻璃基板填孔技術

高階載板採用玻璃基板取代目前高分子材料 (如：ABF、BT)，細線化與高深寬比是未來趨勢。玻璃基板具有導熱性佳、穩定性高、抗蝕性等優異特性，然而玻璃基板填充高深寬比之孔洞時，易產生孔隙與鍍膜層不均勻問題，影響產品品質。

2025.12.01先進綠能

薄膜製程優化模擬器技術

薄膜沉積 (緻密鍍膜) 是在材料表面上披覆薄膜的一種製程，而在複雜的奈米元件之薄膜鍍膜製程中，缺乏輔助製程的模擬分析工具 (如：溫度、氣流、壓力和電磁場等物理因子交互作用之分析)，導致無法快速找到最佳化參數，進而影響產品開發時程及經費耗損。

2025.12.01先進綠能

電漿鍍膜與蝕刻技術

電漿鍍膜與蝕刻為重要半導體元件製造技術，常見問題包括如何調控設備的電漿密度、均勻性與穩定性，以及如何提升製程速率、良率，並解決製程中的缺陷與瓶頸。

2025.01.20先進綠能

半導體尾氣處理設備預警平台

半導體製程中會產生許多黏稠性有毒生成物（粉塵），須經由尾氣處理系統排出製程腔體，然而黏稠性粉塵會造成真空抽氣設備磨損或堵塞，使得腔體真空度不足，造成晶圓汙染報廢等重大損失。本預警平台可監測並管理尾氣處理系統，有效減少設備失效及工安意外發生。

2023.07.31先進綠能

晶圓式離子能量量測模組

半導體電漿製程中，晶圓表面之離子能量大小及空間分佈情形極為關鍵。晶圓式離子能量分析模組具有19個GiEA量測單元，可用以量測晶圓上離子能量空間分佈情形。 GiEA (Gridded ion Energy Analyzer)量測單元具有低離子散射及高能量解析度能力，可大幅提升量測準確度。

2023.07.11先進綠能

硬脆材料複合加工技術

碳化矽可應用在次世代功率元件中，為下世代功率半導體元件的關鍵材料。因高硬度及高耐化性等難加工特性，導致使生產率低，阻礙功率元件發展潮流。本技術建立複合式研拋製程平台，透過導入超音波輔助加工技術及大氣電漿輔助改質技術，可大幅提升碳化矽晶圓產能效率及有效降低製造成本。

2023.07.11先進綠能

光學晶體奈米精度加工技術

精密晶體光學元件可應用於雷射源、曝光機等高端系統，在半導體設備之光學零組件市場中，因硬脆材料透鏡具有明顯的異向性及次表層損傷之特性，導致拋光製程不易掌控、製程成本高及量產性低。本技術建立可在大氣環境下運作之微能量束加工平台，以滿足目前精密零組件加工之需求。

2023.07.11先進綠能

薄膜製程優化模擬器與設備技術

目前精密鍍膜國內自主化技術正待建立，亟需解決 ALD產能慢與 PECVD薄膜緻密性低之問題，藉由多重物理耦合 結合AI技術，以降低設計模型的不確定性和搜尋最佳製程參數，協助工程師加速設定製程參數的時間，提升Time-To-Market的能力，優化縮短設備模組開發時程。